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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。
自然界的物質(zhì)、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的電阻率在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍(上限按謝嘉奎《電子線路》取值,還有取其1/10或10倍的;因角標(biāo)不可用,暫用當(dāng)前描述)。在一般情況下,半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而升高,這與金屬導(dǎo)體恰好相反。
半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來(lái)分,再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨(dú)列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體、無(wú)機(jī)化合物半導(dǎo)體、有機(jī)化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。
半導(dǎo)體材料介紹 | 光刻膠及生產(chǎn)工藝重點(diǎn)企業(yè)
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂...
2025-03-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料電子束光刻膠 291 0
大尺寸單晶金剛石襯底制備技術(shù)突破與挑戰(zhàn)
【DT半導(dǎo)體】獲悉,金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結(jié)構(gòu)的原子晶體,屬于典型的面心立方(FCC)晶體,空間點(diǎn)群為 oh7-Fd3m。...
2025-03-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料電場(chǎng)金剛石 262 0
引言 碳化硅(SiC)作為新一代半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng...
2025-02-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅外延片 162 0
一、集成電路的引腳識(shí)別 集成電路是在同一塊半導(dǎo)體材料上,利用各種不同的加工方法同時(shí)制作出許多極其微小的電阻、電容及晶體管等電路元器件,并將它們相互連接起...
2025-02-11 標(biāo)簽:集成電路電路元器件半導(dǎo)體材料 398 0
引言 碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應...
2025-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 289 0
碳化硅(SiC)作為新一代半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīn...
2025-01-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 297 0
華晶溫控半導(dǎo)體制冷模組-精準(zhǔn)控溫高效制冷
隨著人們對(duì)美的追求不斷提升,醫(yī)美行業(yè)迅速發(fā)展,各種先進(jìn)技術(shù)和設(shè)備不斷涌現(xiàn)。半導(dǎo)體制冷技術(shù)...
2024-12-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體制冷醫(yī)美器械 1089 0
隨著第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的快速發(fā)展,功率器件的性能要求日益提高。傳統(tǒng)的封裝材料已無(wú)法滿足功率器件在高功率密度和高溫環(huán)...
2024-12-07 標(biāo)簽:封裝功率器件半導(dǎo)體材料 948 0
新進(jìn)展 化合積電攜手廈大團(tuán)隊(duì)攻關(guān)單晶金剛石薄膜異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)突破性進(jìn)展綜述
來(lái)源:化合積電 近日,廈門(mén)大學(xué)張洪良教授課題組和化合積電在Electron發(fā)表了題為 “Recent progress on heteroepitaxi....
2024-12-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料 694 0
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2024-11-01 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體材料集電極 1755 0
第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件立即下載
類別:無(wú)線通信 2017-11-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料sicgan
氧化物無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料的光電效應(yīng)及其應(yīng)用立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光電效應(yīng)
現(xiàn)代表面分析技術(shù)在半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料中自旋極化的光學(xué)注入與探測(cè)立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料光學(xué)注入
半導(dǎo)體材料相關(guān)知識(shí)介紹立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料系列的制造方法及應(yīng)用技術(shù)立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-11-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC
化合積電推出硼摻雜單晶金剛石,推動(dòng)金剛石器件前沿應(yīng)用與開(kāi)發(fā)
【DT半導(dǎo)體】獲悉,化合積電為了大力推動(dòng)金剛石器件的應(yīng)用和開(kāi)發(fā)進(jìn)程,推出硼摻雜單晶金剛石,響應(yīng)廣大客戶在...
2025-02-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料金剛石 376 0
KAUST研發(fā)出千伏級(jí)藍(lán)寶石襯底AlN肖特基二極管
【研究梗概】: 超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁具有超高擊穿電場(chǎng),在新型電子器件開(kāi)發(fā)中展現(xiàn)出巨大潛力,受到全球研究者的競(jìng)相關(guān)...
2025-02-18 標(biāo)簽:二極管肖特基二極管半導(dǎo)體材料 223 0
中國(guó)成功在太空驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料功率器件
近日,中國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國(guó)航...
2025-02-11 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 353 0
在電子電路設(shè)計(jì)中,信號(hào)整形是一個(gè)重要的環(huán)節(jié),它涉及到對(duì)信號(hào)波形的修改,以滿足特定的應(yīng)用需求。二極管作...
2025-02-07 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體材料電子電路 327 0
在電子電路中,二極管和整流器是兩種非常重要的元件。它們都涉及到電流的單向流動(dòng)特性,但在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景上有所不同...
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,二極管是一種不可或缺的元件。它的核心功能是允許電流單向流動(dòng),這一特性使其在多種電路設(shè)計(jì)中扮演著重要角色。 二極管的工作原理...
電阻器是電子電路中不可或缺的組件,它們的主要功能是限制電流的流動(dòng)和/或降低電壓。電阻器的性能和穩(wěn)定性在很大程度上取決于其制造材料和工藝。 電阻器材料 金.....
2025-01-24 標(biāo)簽:電阻器半導(dǎo)體材料電子電路 2343 0
碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料,因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)等特性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。...
2025-01-24 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料電導(dǎo)率 506 0
隨著科技的不斷進(jìn)步,光電器件在通信、能源、醫(yī)療和國(guó)防等領(lǐng)域扮演著越來(lái)越重要的角色。碳化硅(SiC)作為一種寬帶隙半導(dǎo)體材料...
2025-01-24 標(biāo)簽:光電器件半導(dǎo)體材料碳化硅 373 0
近日,荷蘭特文特大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種新工藝,能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導(dǎo)體材料。他們表示,通過(g...
2025-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料新材料 200 0
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