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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體技術(shù)
半導(dǎo)體技術(shù)是指半導(dǎo)體加工的各種技術(shù)，包括晶圓的生長(zhǎng)技術(shù)、薄膜沉積、光刻、蝕刻、摻雜技術(shù)和工藝整合等技術(shù)。
文章：213個(gè) 瀏覽：60714次 帖子：8個(gè)
利用硅半導(dǎo)體技術(shù)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了小型化和高性能的ROHM首款硅電容器
市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)和開(kāi)發(fā)歷程 近年來(lái)，隨著智能手機(jī)等設(shè)備的功能增加和性能提升，對(duì)小型、薄型且支持高密度安裝的電容器的需求日益增加。特別是采用薄膜半導(dǎo)體技術(shù)的硅...
2024-08-09 標(biāo)簽：電容器半導(dǎo)體技術(shù)Rohm 1.5萬(wàn) 1
CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）是一種廣泛應(yīng)用于集成電路制造的半導(dǎo)體技術(shù)。CMOS電路具有低功耗、高集成度和良好的擴(kuò)展性等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信...
2024-07-30 標(biāo)簽：CMOS計(jì)算機(jī)半導(dǎo)體技術(shù) 1381 0
GD300HFL120C2S 是一種高頻模塊，通常用于射頻放大器、射頻功率放大器、射頻信號(hào)發(fā)生器等應(yīng)用。以下是關(guān)于 GD300HFL120C2S 高頻模...
2024-07-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)信號(hào)發(fā)生器射頻放大器 493 0
CMOS集成電路的定義及特點(diǎn)？CMOS集成電路的保護(hù)措施有哪些？
CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）集成電路是一種廣泛使用的半導(dǎo)體技術(shù)，用于構(gòu)建各種電子電路和集成電路。
2024-05-28 標(biāo)簽：集成電路CMOS半導(dǎo)體技術(shù) 2127 0
小米氮化鎵充電器是一種新型充電器，它與傳統(tǒng)的普通充電器在多個(gè)方面有所不同。在這篇文章中將詳細(xì)討論小米氮化鎵充電器與普通充電器之間的區(qū)別。 首先，小米氮化...
2024-01-10 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 5239 0
氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國(guó)防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用...
2024-01-09 標(biāo)簽：功率放大器電子設(shè)備半導(dǎo)體技術(shù) 1899 0
探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)SiC 2025 0
英飛凌提供各式完整電動(dòng)/園林應(yīng)用方案
總體而言，該行業(yè)重視研發(fā)，以確保電動(dòng)工具用戶(hù) – 無(wú)論是在建筑工地上還是私人住宅中 – 都能獲得安全、符合人體工程學(xué)的節(jié)能產(chǎn)品。電動(dòng)工具如果使用不正確可...
2023-09-07 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體技術(shù)電動(dòng)工具 425 0
隨著科技的快速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)滲透到我們生活的方方面面，從手機(jī)、電腦到各種高精尖的工業(yè)設(shè)備中。而在這些技術(shù)背后，金作為一種貴金屬，以其獨(dú)特的物理和化...
2023-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)CMP 1806 0
半導(dǎo)體技術(shù)在當(dāng)今社會(huì)已成為高科技產(chǎn)品的核心，而在半導(dǎo)體制造的各個(gè)環(huán)節(jié)中，銅憑借其出色的性能特點(diǎn)，已成為眾多工藝應(yīng)用的關(guān)鍵材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，銅主要被用...
2023-08-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù) 2263 0
半導(dǎo)體技術(shù)的許多進(jìn)步都取決于減小封裝尺寸，同時(shí)結(jié)合附加功能和更高效的供電方法。目前的供電方法會(huì)占用晶圓上的大量空間，導(dǎo)致成本增加、芯片尺寸增大和晶體管減少。
2023-08-16 標(biāo)簽：處理器半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 883 0
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
2023-08-04 標(biāo)簽：探測(cè)器半導(dǎo)體技術(shù)肖特基二極管 988 0
IRDS路線(xiàn)圖光刻委員會(huì)主席、廈門(mén)大學(xué)嘉庚創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)業(yè)運(yùn)營(yíng)平臺(tái)科技總監(jiān)，廈門(mén)大學(xué)半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院客座教授Mark Neisser對(duì)光刻技術(shù)與半導(dǎo)體...
2023-07-24 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)照明系統(tǒng) 1254 0
金剛石基GaN問(wèn)世 化合物半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入第三波材料技術(shù)浪潮
材料往往因特定優(yōu)勢(shì)而聞名。金剛石正因?yàn)樵谑覝叵戮哂凶罡叩臒釋?dǎo)率(2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗...
2023-07-19 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 776 0
SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內(nèi)圓和外圓兩種。由于SiC價(jià)格高，外圓、內(nèi)圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產(chǎn)效率低，加大了襯底的成本。
2023-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)SiCCMP 3552 0
一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案
通過(guò)對(duì)現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié)，從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 標(biāo)簽：pcb半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 1682 0
伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及開(kāi)發(fā)趨勢(shì)
值得關(guān)注的還有機(jī)械諧振抑制技術(shù)和多軸驅(qū)動(dòng)一體化技術(shù)的發(fā)展。目前一些主流品牌或高檔伺服系統(tǒng)都已具備這種諧振抑制功能，而且均能提供四到五個(gè)不同諧振范圍的機(jī)械...
2023-02-15 標(biāo)簽：控制器半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 2968 0
在過(guò)去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）...
2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基 762 0
《拒絕內(nèi)卷，伏達(dá)重新定義功率“觸頂”趨勢(shì)下的充電半導(dǎo)體技術(shù)演進(jìn)路線(xiàn)圖》
與無(wú)線(xiàn)快充國(guó)家強(qiáng)制功率限制不同，有線(xiàn)快充目前還在繼續(xù)各家“自由發(fā)揮”，去年媒體定義的“30瓦 入門(mén)、40瓦 標(biāo)配、60瓦旗艦”已經(jīng)開(kāi)始不太適合當(dāng)下，80...
2021-08-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)服務(wù)器無(wú)線(xiàn)充電 1162 0
利用噪聲頻譜密度評(píng)估軟件定義系統(tǒng)中的ADC
現(xiàn)在考慮一個(gè)簡(jiǎn)單情況來(lái)比較SNR和NSD，如圖1所示。假設(shè)ADC時(shí)鐘頻率為75 MHz。對(duì)輸出數(shù)據(jù)運(yùn)行快速傅里葉變換（FFT），圖中顯示的頻譜為從直流到...
2020-12-30 標(biāo)簽：濾波器adc半導(dǎo)體技術(shù) 4196 0
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