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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體工藝
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對(duì)于PC而言,CPU的規(guī)格與頻率常常被用來(lái)作為衡量一臺(tái)電腦性能強(qiáng)弱重要指標(biāo)。Intelx86架構(gòu)已經(jīng)經(jīng)歷了二十多個(gè)年頭,而x86架構(gòu)的CPU對(duì)我們大多數(shù)...
2016-12-20 標(biāo)簽:CPU晶圓半導(dǎo)體工藝 1.5萬(wàn) 2
PCB布線及表面處理工藝大盤(pán)點(diǎn)TOP8
PCB的表面處理工藝方面的變化并不是很大,好像還是比較遙遠(yuǎn)的事情,但是應(yīng)該注意到:長(zhǎng)期的緩慢變化將會(huì)導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來(lái)愈高的情況下,PCB的...
2016-12-15 標(biāo)簽:PCB自動(dòng)布線半導(dǎo)體工藝 1788 0
蘋(píng)果/鴻海/夏普職位空缺透露明年3大市場(chǎng)動(dòng)態(tài)
科技大廠十一月最新征才訊息,透露明年市場(chǎng)發(fā)展三大動(dòng)態(tài)。蘋(píng)果美國(guó)、鴻海富士康、夏普日本同步在十一月開(kāi)出新領(lǐng)域職缺,在官方網(wǎng)站列出尋找熟知半導(dǎo)體工藝的人才,...
2016-11-14 標(biāo)簽:圖像傳感器AI半導(dǎo)體工藝 1128 0
以臺(tái)積電股本約2,593億元計(jì)算,若英特爾最近股價(jià)無(wú)顯著波動(dòng),臺(tái)積電只要再漲5元,總市值便能超越英特爾,成為全球半導(dǎo)體業(yè)市值最高的公司。
2016-10-26 標(biāo)簽:臺(tái)積電Intel半導(dǎo)體工藝 1227 0
臺(tái)積電與三星,蘋(píng)果A11芯片會(huì)青睞哪一家?
臺(tái)積電供應(yīng)鏈方面則是表示,臺(tái)積電的10nm 制程已導(dǎo)入主力客戶聯(lián)發(fā)科、海思、賽靈思等新世代芯片,甚至包括蘋(píng)果在 2017 年推出的 A11處理器芯片,雖...
2016-10-19 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電半導(dǎo)體工藝 740 0
Intel、三星、TSMC工藝制程,瘋狂進(jìn)行時(shí)!
TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星,不過(guò)他們?cè)?0nm及之后的工藝上很自信,2020年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝,還會(huì)用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 標(biāo)簽:臺(tái)積電Intel半導(dǎo)體工藝 1119 0
Intel制程工藝一騎絕塵,領(lǐng)先三星和臺(tái)積電
后來(lái)進(jìn)入10nm級(jí),Intel在制程工藝層面一騎絕塵,領(lǐng)先三星和臺(tái)積電一代以上。不過(guò),Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上,畢竟作為...
2016-07-15 標(biāo)簽:臺(tái)積電Intel半導(dǎo)體工藝 1025 0
耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變,成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車(chē)市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(Fi...
2016-04-18 標(biāo)簽:FD-SOIFinFET半導(dǎo)體工藝 3289 0
根據(jù)測(cè)試和用戶的數(shù)據(jù)顯示,即使考慮到誤差,iPhone 6s和6s Plus上采用的兩種芯片續(xù)航差異只在2-3%之間。
2015-10-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片半導(dǎo)體工藝A9芯片 2026 0
三大市場(chǎng)驅(qū)動(dòng) 半導(dǎo)體工藝發(fā)展之路還未終結(jié)
未來(lái),比手機(jī)更有發(fā)展前景的是什么?答案是物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)和高性能計(jì)算(HPC)。
2015-09-22 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)HPC半導(dǎo)體工藝 628 0
工藝性能大提升 可實(shí)現(xiàn)最大6GB內(nèi)存封裝
三星電子公司今天宣布批量生產(chǎn)基于其高級(jí)20納米工藝技術(shù)的業(yè)界首款12Gb LPDDR4(低功耗雙數(shù)據(jù)速率4)移動(dòng)DRAM。
2015-09-11 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體工藝LPDDR4 1576 0
中芯國(guó)際28納米工藝制程 開(kāi)啟手機(jī)芯片制造新紀(jì)元
采用其28納米工藝制程的 Qualcomm?驍龍?410處理器已成功應(yīng)用于主流智能手機(jī),這是28納米核心芯片實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的重要一步,開(kāi)啟了先進(jìn)手機(jī)芯片...
2015-08-11 標(biāo)簽:28納米半導(dǎo)體工藝驍龍410 2960 0
臺(tái)積電擬在大陸設(shè)12寸廠,助力大陸半導(dǎo)體發(fā)展
12月22日消息,綜合臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音在法說(shuō)會(huì)上透露,臺(tái)積電不排除在大陸設(shè)立12寸晶圓廠列入考慮。
2014-12-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電中芯半導(dǎo)體工藝 1291 0
微影技術(shù)日益精進(jìn) 半導(dǎo)體工藝持續(xù)成長(zhǎng)
半導(dǎo)體工業(yè)在光學(xué)微影技術(shù)的幫助下,長(zhǎng)期形成持續(xù)且快速的成長(zhǎng)態(tài)勢(shì),但光學(xué)微影在面對(duì)更精密的制程已開(kāi)始出現(xiàn)應(yīng)用瓶頸,尤其在小于0.1微米或更精密的制程,必須...
2014-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝微影技術(shù) 1868 0
在摩爾定律的指引下,集成電路的線寬不斷縮小,基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的70%的步伐前進(jìn)。如2007年達(dá)到45nm,2009年達(dá)到32nm,2011...
2014-04-01 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電半導(dǎo)體工藝 8575 0
FinFET是半導(dǎo)體工藝演進(jìn)最佳選項(xiàng)?
在歷史上,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)仰賴制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來(lái)的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降,這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來(lái)面臨的最...
2014-04-01 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝 3190 0
在近期內(nèi),從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù),有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)。但...
2014-02-25 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝 5388 2
采用全新工藝方法,超越微細(xì)化界限的世界最小※元器件“RASMID?系列”
近年來(lái),伴隨著各種設(shè)備的高性能化發(fā)展,對(duì)元器件小型化的需求日益高漲。在這種背景下,ROHM很早就開(kāi)始利用獨(dú)創(chuàng)的微細(xì)化技術(shù),不斷推進(jìn)元器件小型化的技術(shù)創(chuàng)新...
2013-11-07 標(biāo)簽:二極管ROHM半導(dǎo)體工藝 1384 0
7月12日快訊:LED洗牌/中國(guó)半導(dǎo)體工藝獲突破
據(jù)最新消息,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心,在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上,實(shí)現(xiàn)了重要突破。
2013-07-12 標(biāo)簽:LED封裝半導(dǎo)體工藝電子快訊 2017 0
新技術(shù)再突破!英特爾四核芯片離10nm工藝還有多遠(yuǎn)?
電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/David】:據(jù)信,英特爾已經(jīng)通過(guò)最新技術(shù)——浸潤(rùn)式微影技術(shù),半導(dǎo)體工藝再次獲得突破。
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