半導(dǎo)體工藝

半導(dǎo)體制造工藝中的主要設(shè)備及材料大盤點(diǎn)

本文首先介紹了半導(dǎo)體制造工藝流程及其需要的設(shè)備和材料，其次闡述了IC晶圓生產(chǎn)線的7個主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設(shè)備和材料，最后詳細(xì)的介紹了半導(dǎo)體制造工藝，具體的...

2018-05-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體工藝 7.2萬 1

詳解硅的晶面及應(yīng)用

研究人員利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性對其進(jìn)行各向異性濕法腐蝕，從而制備出不同的結(jié)構(gòu)，這是半導(dǎo)體工藝中常用的加工方法。

2024-01-11 標(biāo)簽：硅片金剛石單晶硅 1.8萬 0

詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET

FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。

2017-02-04 標(biāo)簽：FinFET半導(dǎo)體工藝 1.7萬 0

晶圓臨時鍵合及解鍵合工藝技術(shù)介紹

InP 材料在力學(xué)方面具有軟脆的特性，導(dǎo)致100 mm（4 英寸）InP 晶圓在化合物半導(dǎo)體工藝中有顯著的形變和碎裂的風(fēng)險；同時，InP 基化合物半導(dǎo)體...

2023-06-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體工藝 1.5萬 0

半導(dǎo)體工藝設(shè)備之單晶爐工藝流程

單晶爐，全自動直拉單晶生長爐，是一種在惰性氣體（氮?dú)狻⒑鉃橹鳎┉h(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備。

2023-05-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝流量控制器單晶爐 7341 0

半導(dǎo)體工藝?yán)锏臐穹ɑ瘜W(xué)腐蝕

濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝?yán)锩嬲加泻苤匾囊粔K。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。

2023-08-30 標(biāo)簽：電阻器單晶硅半導(dǎo)體工藝 3841 0

抓出半導(dǎo)體工藝中的魔鬼－晶圓表面金屬污染分析

早先對于晶圓表面金屬的濃度檢測需求為1010atoms/cm2，隨著工藝演進(jìn)，偵測極限已降至108 atoms/cm2，可以滿足此分析需求的技術(shù)以全反射...

2023-05-24 標(biāo)簽：晶圓反應(yīng)器半導(dǎo)體工藝 3733 0

淺談芯片制程工序中片內(nèi)&片間均勻性的定義和計算

均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。

2023-11-01 標(biāo)簽：晶圓光刻半導(dǎo)體工藝 3566 0

一文讀懂半導(dǎo)體工藝制程的光刻膠

光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除，負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。

2024-04-24 標(biāo)簽：光刻膠半導(dǎo)體工藝 3037 0

晶圓表面金屬污染：半導(dǎo)體工藝中的隱形威脅

晶圓表面的潔凈度對于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會造成一定程度的影響，最常見的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一...

2024-02-23 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體工藝 2651 0

半導(dǎo)體工藝之PVA刷擦洗 聚VA刷摩擦分析

引言 本文簡要綜述了所提出的清洗機(jī)制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結(jié)果。在摩擦分析中，刷的粘彈性行為、平板的表面潤濕性以及刷的變形是重要的。此外，我們還介...

2022-03-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體PVA半導(dǎo)體工藝 2398 0

加速特征相關(guān)(FD)干法刻蝕的工藝發(fā)展

隨著ALD厚度的增加，SiN /基底界面處的孔形狀從方形變?yōu)閳A形，并且逐漸變小。在足夠的ALD厚度下，菱形孔的尖端可視度有限，這會導(dǎo)致較低的刻蝕速率且刻...

2021-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝SEM圖像 1896 0