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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體工藝
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半導(dǎo)體制造工藝中的主要設(shè)備及材料大盤(pán)點(diǎn)
本文首先介紹了半導(dǎo)體制造工藝流程及其需要的設(shè)備和材料,其次闡述了IC晶圓生產(chǎn)線的7個(gè)主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設(shè)備和材料,最后詳細(xì)的介紹了半導(dǎo)體制造工藝,具體的...
2018-05-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體工藝 7.2萬(wàn) 1
什么是半導(dǎo)體工藝制程,16nm、10nm都代表了什么
隨著智能手機(jī)的發(fā)展,半導(dǎo)體工藝也急速提升,從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導(dǎo)體代工廠們每天爭(zhēng)相發(fā)布最新的工藝制程,讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知...
IC封裝,就是指把硅片上的電路管腳,用導(dǎo)線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接。封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。
2017-09-20 標(biāo)簽:ic封裝半導(dǎo)體工藝 2.8萬(wàn) 0
FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。
2017-02-04 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝 1.7萬(wàn) 0
InP 材料在力學(xué)方面具有軟脆的特性,導(dǎo)致100 mm(4 英寸)InP 晶圓在化合物半導(dǎo)體工藝中有顯著的形變和碎裂的風(fēng)險(xiǎn);同時(shí),InP 基化合物半導(dǎo)體...
2023-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體工藝 1.5萬(wàn) 0
關(guān)于Intel和AMD合作打造一款處理器的傳言已久,盡管前者否認(rèn)新品計(jì)劃,但就像新聞圈那句“否認(rèn)即承認(rèn)”一樣,總是有新的佐證出來(lái)。
2017-10-11 標(biāo)簽:AMDIntel半導(dǎo)體工藝 7573 0
單晶爐,全自動(dòng)直拉單晶生長(zhǎng)爐,是一種在惰性氣體(氮?dú)?、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝流量控制器單晶爐 7382 0
光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門(mén)的關(guān)鍵詞,也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么,讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 標(biāo)簽:EUV半導(dǎo)體工藝三星 5099 0
濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝?yán)锩嬲加泻苤匾囊粔K。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 標(biāo)簽:電阻器單晶硅半導(dǎo)體工藝 3909 0
在標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)測(cè)試方法和模型中,假設(shè)材料是各向同性且只通過(guò)平面的導(dǎo)熱系數(shù);通常采用平面散熱的方法去降低熱點(diǎn)溫度,增加整個(gè)區(qū)域的熱傳遞。而世強(qiáng)92ML方案則...
2017-01-03 標(biāo)簽:PCB自動(dòng)布線半導(dǎo)體工藝 3788 0
早先對(duì)于晶圓表面金屬的濃度檢測(cè)需求為1010atoms/cm2,隨著工藝演進(jìn),偵測(cè)極限已降至108 atoms/cm2,可以滿(mǎn)足此分析需求的技術(shù)以全反射...
2023-05-24 標(biāo)簽:晶圓反應(yīng)器半導(dǎo)體工藝 3788 0
淺談芯片制程工序中片內(nèi)&片間均勻性的定義和計(jì)算
均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度;刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度,角度等等,都可以考慮其均勻性。
2023-11-01 標(biāo)簽:晶圓光刻半導(dǎo)體工藝 3641 0
半導(dǎo)體封裝的基本定義和內(nèi)涵 電子封裝的工程的六個(gè)階段
半導(dǎo)體器件制作工藝分為前道和后道工序,晶圓制造和測(cè)試被稱(chēng)為前道(Front End)工序,而芯片的封裝、測(cè)試及成品入庫(kù)則被稱(chēng)為后道(Back End)工...
2022-12-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體工藝 3420 0
光刻膠按照種類(lèi)可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除,負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 標(biāo)簽:光刻膠半導(dǎo)體工藝 3092 0
Teledyne e2v高速SiP直接RF數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換接收(Rx)方案
隨著ADC和DAC的性能規(guī)格、形狀參數(shù)和新的傳感器技術(shù)(Rx和Tx)的不斷發(fā)展,RF數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)正在發(fā)生快速變化。在這期間,一個(gè)系統(tǒng)級(jí)的設(shè)計(jì)問(wèn)題一直存在...
晶圓表面的潔凈度對(duì)于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會(huì)造成一定程度的影響,最常見(jiàn)的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒狀粒子的殘留,而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一...
2024-02-23 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體工藝 2760 0
建立AI芯片新的衡量標(biāo)準(zhǔn)勢(shì)在必行
因?yàn)槿斯ぶ悄艿某掷m(xù)火熱,AI芯片在過(guò)去幾年里如雨后春筍般在全球各地冒出來(lái)。這就驅(qū)動(dòng)行業(yè)去探索評(píng)估AI芯片性能的最優(yōu)方法。 就如傳統(tǒng)的芯片設(shè)計(jì)師追求PPA...
2020-10-28 標(biāo)簽:cpu人工智能半導(dǎo)體工藝 2703 0
引言 本文簡(jiǎn)要綜述了所提出的清洗機(jī)制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結(jié)果。在摩擦分析中,刷的粘彈性行為、平板的表面潤(rùn)濕性以及刷的變形是重要的。此外,我們還介...
2022-03-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PVA半導(dǎo)體工藝 2412 0
隨著ALD厚度的增加,SiN /基底界面處的孔形狀從方形變?yōu)閳A形,并且逐漸變小。在足夠的ALD厚度下,菱形孔的尖端可視度有限,這會(huì)導(dǎo)致較低的刻蝕速率且刻...
2021-11-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝SEM圖像 1908 0
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