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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
用半導(dǎo)體集成電路工藝制成的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息的固態(tài)電子器件。簡(jiǎn)稱(chēng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。它由大量相同的存儲(chǔ)單元和輸入、輸出電路等構(gòu)成。
用半導(dǎo)體集成電路工藝制成的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息的固態(tài)電子器件。簡(jiǎn)稱(chēng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。它由大量相同的存儲(chǔ)單元和輸入、輸出電路等構(gòu)成。
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元陣列和主要外圍邏輯電路制作在同一個(gè)硅芯片上,輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計(jì)算機(jī)的運(yùn)算和控制與存儲(chǔ)兩大部分之間的接口大為簡(jiǎn)化。
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí),其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主...
2019-01-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 1.6萬(wàn) 0
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)詳解
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器,易失存儲(chǔ)器在過(guò)去的幾十年里沒(méi)有特別大的變化,依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存...
2019-01-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器技術(shù) 1.3萬(wàn) 0
DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱(chēng)作DDR SDRAM,這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫(xiě)兩次數(shù)...
2018-04-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 9868 0
半導(dǎo)體封裝工藝的四個(gè)等級(jí)和作用解析
電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這些硬件結(jié)構(gòu)包括有源元件1(如半導(dǎo)體)和無(wú)源元件2(如電阻器和電容器3)。因此,電子封裝技術(shù)涵蓋的范圍較廣,可分為0級(jí)...
2023-05-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體封裝 4183 0
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)
計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。二者相比,DRAM的存儲(chǔ)密度更高,而SRAM則具有最快的片上緩存。這兩類(lèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器都已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。
2021-10-13 標(biāo)簽:DRAMsram半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 4036 0
在存儲(chǔ)信息時(shí),對(duì)于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器,行地址首先將RAS鎖存于芯片中,然后列地址將CAS鎖存于芯片中,當(dāng)WE有效時(shí),寫(xiě)入數(shù)據(jù)則被存儲(chǔ)于指定的單元中。
2024-03-29 標(biāo)簽:集成電路DRAM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 3878 0
主控芯片CPU/FPGA存儲(chǔ)及單粒子翻轉(zhuǎn)科普
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種能存儲(chǔ)大量二進(jìn)制信息的半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器種類(lèi)很多,一般按功能來(lái)分,可以分為只讀存儲(chǔ)器(ROM)和隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)。
東芝推出內(nèi)存和硬盤(pán)合二為一的SCM存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存
電腦的運(yùn)作需要有內(nèi)存和硬盤(pán)兩個(gè)部件來(lái)共同完成數(shù)據(jù)儲(chǔ)存:內(nèi)存速度快但容量小、斷電后記憶會(huì)丟失,硬盤(pán)速度慢但容量大并且能夠長(zhǎng)久保存數(shù)據(jù)。有沒(méi)有可能讓內(nèi)存和硬...
2020-09-16 標(biāo)簽:東芝FlaSh半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 3718 0
封裝材料大致可分為原材料和輔助材料。原材料是構(gòu)成封裝本身的一部分,直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。而輔助材料則不屬于產(chǎn)品的本身構(gòu)成部分,它們僅在封裝過(guò)程中...
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其接口知識(shí)立即下載
類(lèi)別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2011-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器接口
數(shù)字電路--半導(dǎo)體存儲(chǔ)器原理立即下載
類(lèi)別:課件下載 2016-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器數(shù)字電路
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電路及結(jié)構(gòu)立即下載
類(lèi)別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2009-12-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和可編程邏輯器_PPT講解立即下載
類(lèi)別:課件下載 2016-09-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可編程邏輯器
類(lèi)別:電子教材 2014-08-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器觸發(fā)器數(shù)字搶答器設(shè)計(jì)
數(shù)字電子技術(shù)--半導(dǎo)體存儲(chǔ)器立即下載
類(lèi)別:課件下載 2016-12-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器數(shù)字電子技術(shù)
非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制立即下載
類(lèi)別:模擬數(shù)字 2017-01-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
類(lèi)別:模擬數(shù)字 2017-04-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
類(lèi)別:電子教材 2014-07-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器原理圖解
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器原理圖解 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是具備可以儲(chǔ)存圖像數(shù)據(jù)或文字?jǐn)?shù)據(jù)、程序等信息,在必要時(shí)
2010-03-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 2.7萬(wàn) 1
去年我們國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模5411億,增速將近25%,中國(guó)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)增速最快的區(qū)域,從2000年到2018年,過(guò)去18年間中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售...
2018-04-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片 9579 0
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)存儲(chǔ)信息,而半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM則是靠電容存儲(chǔ),半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的存儲(chǔ)原理是依靠雙穩(wěn)態(tài)電路存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就...
2020-05-10 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器sram半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 7822 0
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的基本結(jié)構(gòu)解析
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片,按照讀寫(xiě)功能可分為隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器(RandomAccessMemory,RAM)和只讀存儲(chǔ)器(ReadOnlyMemory,ROM)兩大類(lèi)。
2020-12-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器芯片 6794 0
美國(guó)私募股權(quán)集團(tuán)貝恩資本或?qū)⑹召?gòu)東芝,如收購(gòu)?fù)瓿?,東芝將成為私營(yíng)公司。
2022-04-02 標(biāo)簽:東芝半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 4320 0
DDR/LPDDR和GDDR科技都將持續(xù)增長(zhǎng)將成為這場(chǎng)存儲(chǔ)逐力賽中的黑馬
半導(dǎo)體存儲(chǔ)是存儲(chǔ)領(lǐng)域應(yīng)用領(lǐng)域最高、市場(chǎng)規(guī)模最大的存儲(chǔ)器件。按照停電后數(shù)據(jù)是否可以繼續(xù)保存在器件內(nèi),半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為掉電易失和掉電非易失器件;其中易失存...
致力存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化,嘉合勁威積極布局企業(yè)級(jí)SSD市場(chǎng)
來(lái)源:嘉合勁威 對(duì)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)來(lái)說(shuō),5G、AI、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、元宇宙等新一代信息技術(shù)不斷發(fā)展,催生海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與交互需求,存儲(chǔ)無(wú)處不在,同時(shí)也推動(dòng)...
2022-09-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)SSD半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 1300 0
Molecular Imprints將為半導(dǎo)體大批量制造提供先進(jìn)光刻設(shè)備
奈米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場(chǎng)與技術(shù)廠商Molecular Imprints, Inc. (MII) 宣佈,該公司已經(jīng)獲得一份包含多個(gè)壓印範(fàn)本的採(cǎi)購(gòu)訂...
2012-09-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器光刻技術(shù)半導(dǎo)體芯片 1253 0
高溫存儲(chǔ)器的詳解及推薦 存儲(chǔ)器根據(jù)不同的分類(lèi)條件具有多種分類(lèi)方式: 用途的不同可以分為內(nèi)存(主存儲(chǔ)器)和外存(輔助存儲(chǔ)器) 存儲(chǔ)介質(zhì)的不同可分為磁表面存...
2020-03-23 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器RAM半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 1211 0
淺析存儲(chǔ)顆粒和存儲(chǔ)組件的價(jià)格形成
DRAM會(huì)區(qū)分顆粒的技術(shù)層級(jí):DDR3/DDR4/DDR5; Flash會(huì)區(qū)分顆粒的類(lèi)別:TLC/MLC/SLC; 也會(huì)區(qū)分顆粒的容量 8G/16G/3...
2023-01-05 標(biāo)簽:DRAMSSD半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 1122 0
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