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標簽 > 功率mosfet
功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導體(S)的場效應(yīng)晶體管。
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功率MOSFET管在過電流和過電壓條件下?lián)p壞形態(tài)的原因
硅片中間區(qū)域是散熱條件最差的位置,也是最容易產(chǎn)生熱點的地方,可以看到,上圖中,擊穿小孔洞即熱點,正好都位于硅片的中間區(qū)域。
連續(xù)模式PFC功率MOSFET電流有效值、平均值是怎么計算
中大功率的ACDC電源都會采用有源功率因數(shù)校正PFC電路來提高其功率因數(shù),減少對電網(wǎng)的干擾。在PFC電路中,常用的結(jié)構(gòu)是BOOST電路,功率MOSFET...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor...
功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀
眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率,且開關(guān)速度優(yōu)異??梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))...
功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關(guān)動作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強度的定義,失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電...
功率MOSFET的輸出電容是非常重要的一個參數(shù),讀過功率MOSFET數(shù)據(jù)表的工程師應(yīng)該注意到:輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的變化而變化,表現(xiàn)出非...
高耐壓600V半橋柵極驅(qū)動器WD0412引腳參數(shù)與電路應(yīng)用
WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動器,具有高低邊兩路輸出,可以單獨驅(qū)動兩個高壓大功率 MOSFET 或 IG...
在筆記本電腦主板、LCDTV主板、STB機頂盒等電子系統(tǒng)應(yīng)用中,內(nèi)部有不同電壓的多路電源,通常需要采用功率MOSFET作為負載切換開關(guān),控制不同電壓的電...
2023-02-16 標簽:電子系統(tǒng)功率MOSFET上電時序 1926 1
什么是超結(jié)高壓功率MOSFET的零電壓ZVS關(guān)斷特性
功率MOSFET在開通的過程中,當VGS的驅(qū)動電壓從VTH上升到米勒平臺VGP時間段t1-t2,漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流,VGS和ID保持由...
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認識
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認識
2023-11-23 標簽:開關(guān)電源ZVS軟開關(guān) 1639 0
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