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標(biāo)簽 > 功率管
在放大電路中擔(dān)任末級輸出的管子叫功率管。功率管分為大功率管和小功率管。一般PCM(集電極耗損功率)大于1W的叫大功率管如國產(chǎn)的3DD和3DA型的和日產(chǎn)的2SD和2SC管子。
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開關(guān)電源是通過功率管打開時給電感充電,電感儲能;功率管斷開時,電感釋放能量,從而實現(xiàn)電壓變換。
2022-07-15 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率管同步整流 3281 0
隨著快充市場的飛速發(fā)展和競爭加劇,對整體方案降本的要求更加嚴(yán)苛,為了更好地支持客戶提升競爭力與優(yōu)化性價比,晶豐明源推出了契合市場需求、集成具有IGBT結(jié)...
隨著能源的日益緊張,國家高度重視嚴(yán)格能效約束,推動了各行各業(yè)的節(jié)能降碳。另外,隨著電源的能效標(biāo)準(zhǔn)(DoE Level VI和CoC Tier2)的頒布,...
LLC峰值電流控制PWM發(fā)波的設(shè)計實現(xiàn)
本文介紹基于 dsPIC33CH512MP508 實現(xiàn)的LLC峰值電流控制PWM發(fā)波邏輯,該發(fā)波邏輯充分利用了 dsPIC33C 系列MCU強大的PWM...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGB...
紋波電壓的頻率等同于芯片開關(guān)頻率,為了防止探頭拾取到環(huán)境中的高頻噪聲,我們需要將示波器中測試紋波電壓的通 道帶寬限制在 20MHz。
2023-12-01 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率管紋波電壓 1918 0
開關(guān)電源是通過功率管打開時給電感充電,電感儲能;功率管斷開時,電感釋放能量,從而實現(xiàn)電壓變換。開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間...
2023-03-06 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源功率管 1915 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點。然而,在實際應(yīng)用過程中,IGBT功率管發(fā)熱是...
由于電遷移效應(yīng),金屬線可能會斷裂并短路。EM會增加導(dǎo)線電阻,這會導(dǎo)致電壓下降,從而導(dǎo)致設(shè)備降速。由于短路或開路,它還可能導(dǎo)致電路永久性故障。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...
線性穩(wěn)壓器(LDO)是一種廣泛使用的電源管理器件,其主要功能是將輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。LDO的工作原理是通過調(diào)整內(nèi)部功率管的導(dǎo)通程度來實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)功率管是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高效、高性能的功率電子器件。在實際應(yīng)用中,對IGBT功率管進行好壞檢測是非常重要的,以確...
開啟過程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計算或預(yù)計得到開啟時刻前之 VDS(off_end)...
2023-10-27 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 1360 0
igbt功率管和場效應(yīng)管的區(qū)別和聯(lián)系是什么
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件,它們在許多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用。盡管它們在...
2024-08-07 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBT功率管 1324 0
無刷直流電機(BLDC)控制器中的六個功率管在控制120度和60度換相時,扮演著至關(guān)重要的角色。這兩種控制方式主要區(qū)別在于換相時功率管的開關(guān)序列和時序,...
開關(guān)電源同步整流和非同步整流有什么區(qū)別?
同步若在電路中續(xù)流回路中使用的也是 MOS 管(Q2),即上下管都是 MOS 管,因為 MOS 管本身是需要外控制的元器件,整流過程中必須根據(jù)電源的開關(guān)...
2024-01-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源BUCKMOS管 1070 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會影響IGBT的...
在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏...
設(shè)計各種電源設(shè)備,如DC/DC、AC/DC、DC/AC、AC/AC等,能夠全面分析系統(tǒng)的各項指標(biāo)如環(huán)路頻率響應(yīng)、功率管開關(guān)、磁性器件的工作情況、元件的電...
2023-12-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT功率管 707 0
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