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標(biāo)簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。
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隨著時(shí)間的推移,功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小,功率密度越來越高,開發(fā)這類器件的主要挑戰(zhàn)在于,在開關(guān)頻率持續(xù)上升時(shí),需要通過減小由導(dǎo)...
ST推出新一代高頻功率晶體管。新產(chǎn)品可有效延長(zhǎng)如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間,并可提高應(yīng)用性能及降低設(shè)備成本。
英飛凌40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲OFweek2013年度技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)
4月11日下午, OFweek光電新聞網(wǎng) (以下簡(jiǎn)稱OFweek)和OFweek電子工程網(wǎng)在深圳聯(lián)合主辦了2013電子行業(yè)年度評(píng)選活動(dòng),英飛凌科技公司(...
ST擴(kuò)大STripFET技術(shù)的高效功率晶體管系列
ST擴(kuò)大采用第六代STripFET?技術(shù)的高效功率晶體管的產(chǎn)品系列,為設(shè)計(jì)人員在提高各種應(yīng)用的節(jié)能省電性能帶來更多選擇。
設(shè)計(jì)靈活,滿足Energy Star的新版標(biāo)準(zhǔn)6.0
- 我們已經(jīng)了解了SJ MOSFET 的低導(dǎo)通損耗與低開關(guān)損耗有助于提高效率。那么,實(shí)際的效率是怎樣的呢?前面提到過,在BM2Pxxx系列的開發(fā)階段就已...
Wise-integration與益登科技針對(duì)GaN IC電源半導(dǎo)體產(chǎn)品的推廣展開渠道合作
益登科技與Wise-integration的策略合作將著重于利用Wise-integration的GaN功率晶體管和數(shù)字控制能力,并與益登科技在亞洲地區(qū)...
雖然半導(dǎo)體市場(chǎng)狀況持續(xù)不太好,但是到2023年為止,將新啟動(dòng)13個(gè)12英寸晶片工廠。據(jù)knometa research稱,新的fab將主要生產(chǎn)功率晶體...
國(guó)產(chǎn)汽車OBC將用GaN!這2家企業(yè)宣布結(jié)盟
近日,國(guó)內(nèi)一家車載充電器(OBC)企業(yè)與氮化鎵企業(yè)結(jié)盟,將共同開發(fā)11kW的氮化鎵OBC等產(chǎn)品。而該氮化鎵企業(yè)之前還與在車規(guī)GaN與寶馬、豐田及緯湃科技...
機(jī)構(gòu):今年全球?qū)⒂?3座12英寸晶圓廠投產(chǎn)
越來越多的12英寸晶圓廠正在建設(shè)中,用于制造非IC器件,特別是功率晶體管。對(duì)于芯片尺寸巨大、體積大的器件類型,在大晶圓上加工芯片的制造成本優(yōu)勢(shì)就開始發(fā)揮作用。
蔚來汽車與芯聯(lián)集成SiC模塊合作項(xiàng)目C樣下線,即將進(jìn)入量產(chǎn)階段
“蔚來&芯聯(lián)集成合作伙伴大會(huì)暨蔚來自研SiC模塊C樣下線儀式”在芯聯(lián)集成紹興總部舉行,標(biāo)志著該項(xiàng)目即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。
在高功率應(yīng)用中通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管?
在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中,通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管? 電源與充電樁等高功率應(yīng)用通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管,主要...
2023-10-22 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器控制電路功率晶體管 724 0
意法半導(dǎo)體推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器
2023 年 9 月 6 日,中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器,新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺...
2023-09-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器晶體管電流隔離器 696 0
淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)
氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。
Transphorm的GaN首次達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的短路穩(wěn)健性里程碑
Yaskawa企業(yè)技術(shù)部基礎(chǔ)研發(fā)管理部經(jīng)理Motoshige Maeda表示:“如果功率半導(dǎo)體器件無法承受短路事件,系統(tǒng)本身可能失效。業(yè)界普遍認(rèn)為GaN...
2023-08-14 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN功率晶體管 648 0
SiC和GaN,會(huì)把硅功率器件趕出歷史舞臺(tái)?
云計(jì)算、虛擬宇宙的大型數(shù)據(jù)中心以及新型智能手機(jī)等各種小型電子設(shè)備將繼續(xù)投資。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗,但它們成為標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)...
森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
AMCOM的AM0321206LN-P1是款寬帶低噪聲放大器模塊。為通用型技術(shù)應(yīng)用需求設(shè)計(jì)。AM0321206LN-P1的頻率范圍為300MHz至120...
英飛凌IPD50N10S3L-16:高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書
概述: 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管,工作電壓最高達(dá)到1kV(SiC:2kV),具有高開關(guān)速度和最佳效率。 這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電...
2024-08-12 標(biāo)簽:英飛凌MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 300 0
應(yīng)用指南導(dǎo)讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局
作為寬禁帶半導(dǎo)體,氮化鎵(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而,GaN器件的高速開關(guān)行為也對(duì)PCB布局設(shè)計(jì)提出了...
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