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標簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點。特別適合在集成電路中作功率器件。
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用于HZZH 98%高效功率模塊的Transphorm GaN
我們在尋找一種功率晶體管,幫助我們?yōu)榭蛻糸_發(fā)一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們曾考慮碳化硅器件,但在低電壓條件下無法達到預期優(yōu)勢。
IC Insights | 泡沫式增長后,功率晶體管銷售額再創(chuàng)新高
根據IC Insights的2019年OSD報告顯示,2018年功率晶體管的銷售額增長率達到兩位數(shù)(14%),總額達到創(chuàng)紀錄的163億美元。
2018年功率晶體管銷售額再創(chuàng)新高 增長14%
根據2019年的報告,功率晶體管的銷售額增長率達到兩位數(shù),再創(chuàng)新高。
915MHz高效750W射頻功率晶體管可實現(xiàn)更緊湊的功率放大器設計
埃賦隆半導體宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。
EPC發(fā)布了新款350V GaN功率晶體管EPC2050
據麥姆斯咨詢報道,Efficient Power Conversion(EPC,美國宜普電源轉換公司)發(fā)布了新款350V GaN功率晶體管EPC2050...
恩智浦半導體推出業(yè)內面向915MHz應用的最高功率晶體管
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)推出業(yè)內面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(...
氮化鎵功率技術大熱,Transphorm創(chuàng)新HEMT結構“劍走偏鋒”高壓器件
氮化鎵技術因其在低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)?;纳a能力,近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術趨勢論...
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管,作為特別關注...
英飛凌40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲OFweek2013年度技術創(chuàng)新獎
4月11日下午, OFweek光電新聞網 (以下簡稱OFweek)和OFweek電子工程網在深圳聯(lián)合主辦了2013電子行業(yè)年度評選活動,英飛凌科技公司(...
電子發(fā)燒友網核心提示: 據IHS iSuppli公司的 電源管理 市場份額與供應商分析報告,在進行一次重要收購之后,德州儀器去年仍然是最大的 電源管理 ...
眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此,將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限...
恩智浦半導體發(fā)布無引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ:NXPI) 近日發(fā)布業(yè)內首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封...
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
NXP推出超緊湊型功率晶體管和Trench MOSFET產品PBSM5240PF
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管...
2011-08-16 標簽:NXP功率晶體管Trench MOSFE 1264 0
隨著時間的推移,功率晶體管技術得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小,功率密度越來越高,開發(fā)這類器件的主要挑戰(zhàn)在于,在開關頻率持續(xù)上升時,需要通過減小由導...
ST擴大采用第六代STripFET?技術的高效功率晶體管的產品系列,為設計人員在提高各種應用的節(jié)能省電性能帶來更多選擇。
ST推出新一代高頻功率晶體管。新產品可有效延長如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設備的運行時間,并可提高應用性能及降低設備成本。
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