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標(biāo)簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。
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650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管,采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān),符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
國產(chǎn)汽車OBC將用GaN!這2家企業(yè)宣布結(jié)盟
近日,國內(nèi)一家車載充電器(OBC)企業(yè)與氮化鎵企業(yè)結(jié)盟,將共同開發(fā)11kW的氮化鎵OBC等產(chǎn)品。而該氮化鎵企業(yè)之前還與在車規(guī)GaN與寶馬、豐田及緯湃科技...
森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
工作原理 開關(guān)電源的工作過程相當(dāng)容易理解,在線性電源中,讓功率晶體管工作在線性模式,與線性電源不同的是,PWM開關(guān)電源是讓功率晶體管工作在導(dǎo)通和關(guān)斷的狀...
2023-07-26 標(biāo)簽:開關(guān)電源線性電源功率晶體管 1166 0
高性能增強(qiáng)型功率晶體管:INN650D140A解鎖多種應(yīng)用領(lǐng)域
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,電力轉(zhuǎn)換是最基本的組成部分之一。而功率晶體管則是這種電力轉(zhuǎn)換的核心。隨著科技的不斷發(fā)展,我們需要更高性能的功率晶體管來支持更復(fù)雜的電子...
2023-06-25 標(biāo)簽:功率晶體管 1095 0
第三代半導(dǎo)體:在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用前景展望
近年來,隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計算機(jī)應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大,半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中,第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來了新的變革。
2023-06-20 標(biāo)簽:太陽能電池智能電網(wǎng)半導(dǎo)體技術(shù) 1413 0
設(shè)計靈活,滿足Energy Star的新版標(biāo)準(zhǔn)6.0
- 我們已經(jīng)了解了SJ MOSFET 的低導(dǎo)通損耗與低開關(guān)損耗有助于提高效率。那么,實際的效率是怎樣的呢?前面提到過,在BM2Pxxx系列的開發(fā)階段就已...
淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)
氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。
按照器件結(jié)構(gòu),分為二極管、功率晶體管、晶閘管等,其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MO...
云計算、虛擬宇宙的大型數(shù)據(jù)中心以及新型智能手機(jī)等各種小型電子設(shè)備將繼續(xù)投資。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗,但它們成為標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)...
EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管,比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設(shè)計人員而設(shè)計,在極小的芯片級封裝中,實現(xiàn)?350 V、80 mΩ?最大?RDS(on)和26 A 峰值電流,...
Wise-integration與益登科技針對GaN IC電源半導(dǎo)體產(chǎn)品的推廣展開渠道合作
益登科技與Wise-integration的策略合作將著重于利用Wise-integration的GaN功率晶體管和數(shù)字控制能力,并與益登科技在亞洲地區(qū)...
意法半導(dǎo)體針對高能效功率變換應(yīng)用,推出新的45W和150W MasterGaN產(chǎn)品
為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝,分別面向高達(dá) 45W 和...
2021-08-30 標(biāo)簽:微控制器意法半導(dǎo)體功率晶體管 2045 0
在高頻(3-30MHz)到250MHz頻率范圍內(nèi),性能強(qiáng)大的IDEV系列能夠提供高達(dá)2.2kW的連續(xù)波(CW)輸出功率,而且只采用一個陶瓷封裝,因此減少...
2021-08-13 標(biāo)簽:射頻意法半導(dǎo)體功率晶體管 3111 0
公司針對不同需求有高性價比、高可靠性、高速三大系列高壓MOSFET產(chǎn)品,反壓覆蓋200-900V,電流覆蓋0.5-24A。
2021-03-31 標(biāo)簽:LED驅(qū)動肖特基二極管半導(dǎo)體器件 1228 0
丹東華奧電子有限公司成立于2001年,專業(yè)從事汽車/摩托車電子電器配套用集成電路和晶體管開發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、推廣應(yīng)用和服務(wù)。 產(chǎn)品出口國際市場。 公司為汽...
UnitedSiC的FET-Jet計算器讓SiC FET選擇過程不再充滿猜測
為電源設(shè)計選擇初始半導(dǎo)體開關(guān)可能是一件繁雜的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以簡化這項工作并準(zhǔn)確預(yù)測系統(tǒng)性能。
Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體...
一個采用CW4962作高效前置穩(wěn)壓,后級再用低壓差線性穩(wěn)壓器作精密線性穩(wěn)壓的電路實例。該電路從后級穩(wěn)壓器輸出極穩(wěn)定的直流電壓。
2020-03-26 標(biāo)簽:應(yīng)用電路功率晶體管 1714 0
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