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功率晶體管

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功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來(lái)的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。

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功率晶體管技術(shù)

碳化硅功率晶體的設(shè)計(jì)發(fā)展及驅(qū)動(dòng)電壓限制

在硅材料的高壓超級(jí)結(jié)功率晶體中，磊晶層的通態(tài)電阻占總通態(tài)電阻的90%以上。

2021-10-25 標(biāo)簽：碳化硅功率晶體管 1307 0

未來(lái)智能城市的動(dòng)力引擎：潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管（FET）

潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)...

2023-06-12 標(biāo)簽：FET 功率晶體管智能城市 1276 0

21W AB類音頻放大器電路設(shè)計(jì)

這是以功率晶體管為主要部分的21W AB類音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。它的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，設(shè)置也簡(jiǎn)單。將 10k 微調(diào)器設(shè)置為大約一半，將 470 歐姆微調(diào)器設(shè)置為...

2023-07-28 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)揚(yáng)聲器音頻放大器 1270 0

功率晶體管的歷史和新興設(shè)計(jì)

到20世紀(jì)中葉，電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛(ài)迪生發(fā)明的電燈通過(guò)照亮街道、工廠和住宅，提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過(guò)高效電機(jī)實(shí)現(xiàn)的制冷，...

2022-12-08 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 1220 0

求一種隔離式雙通道驅(qū)動(dòng)模塊設(shè)計(jì)方案

驅(qū)動(dòng)電路是變換器的重要組成部分，它的性能直接關(guān)乎變換器的穩(wěn)定性和可靠性。半橋和全橋變換器中需要用到半橋驅(qū)動(dòng)電路。

2023-10-16 標(biāo)簽：變換器電源電壓驅(qū)動(dòng)電路 1204 0

基于BLW96的射頻放大器電路解析

BLW96是一款HF/VHF功率晶體管，適用于H.f.和v.h.f.頻段的A類、AB類和B類操作的高功率工業(yè)和軍用傳輸設(shè)備。

2023-07-23 標(biāo)簽：放大器電路射頻放大器功率晶體管 1177 0

大功率晶體管溫度過(guò)高如何解決，芯片導(dǎo)熱硅脂可助其快速散熱

總之，芯片導(dǎo)熱硅脂是一種非常有效的散熱材料，它可以大大提高大功率晶體管的散熱效率，保證機(jī)器設(shè)備的正常運(yùn)行和可靠性

2023-06-08 標(biāo)簽：芯片功率晶體管 1139 0

低壓差、微功率負(fù)穩(wěn)壓器——LT1175

LT1175 是一款微功率、低壓差負(fù)穩(wěn)壓器。它具有 45μA 靜態(tài)電流，并在停機(jī)模式中減小至 10μA。

2023-04-14 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器功率晶體管欠壓保護(hù) 1069 0

在射頻電路中匹配與增益到底有什么關(guān)系？

匹配和增益是射頻電路中重要的設(shè)計(jì)考慮因素。首先我們要理解它們的定義。

2023-07-20 標(biāo)簽：電阻器低噪聲放大器射頻電路 1060 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 1043 0

請(qǐng)問(wèn)功率晶體管是什么？是二極管嗎？

功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來(lái)的新型射頻功率器件。

2023-02-14 標(biāo)簽：二極管功率放大器射頻功率 1022 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)柵極關(guān)斷晶閘管

雙極功率晶體管的電流放大倍數(shù)和通態(tài)特性會(huì)隨著電壓級(jí)別的增加而迅速降低，因此抑制了其在電壓高于2kV 牽引設(shè)備（如電力機(jī)車）應(yīng)用中的發(fā)展。在直流電路中，...

2024-01-17 標(biāo)簽：晶閘管柵極功率晶體管 1010 0

關(guān)于碳化硅功率模塊建模

由于帶隙較大（2 MV/cm 對(duì) 0.5 MV/cm），SiC 中通過(guò)碰撞電離產(chǎn)生帶間電子空穴所需的能量比 Si 高得多。

2021-10-07 標(biāo)簽：MOSFET 功率晶體管 1007 0

詳解矢量負(fù)載牽引技術(shù)

負(fù)載牽引系統(tǒng)是改變射頻微波器件輸入源阻抗和輸出負(fù)載阻抗的阻抗?fàn)恳到y(tǒng)，它可以測(cè)量出射頻微波器件及功率芯片在不同源阻抗及負(fù)載阻抗下的各種工作參數(shù)，典型的被...

2023-07-09 標(biāo)簽：放大器阻抗功率晶體管 901 0

SiC-MOSFET和功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開(kāi)...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 878 0

小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

經(jīng)過(guò)五十多年的歷史發(fā)展，在電子電路中將直流電壓轉(zhuǎn)換成另一種直流電壓顯示，其復(fù)雜性不斷提高，現(xiàn)代設(shè)計(jì)的功率密度高到令人難以置信的同時(shí)還要提升效率以保持小功...

2023-08-11 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源設(shè)計(jì)小功率 869 0

使用TIP12設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的3055v電池充電器電路

可以使用TIP12功率晶體管設(shè)計(jì)一個(gè)非常簡(jiǎn)單的3055v電池充電器電路，通過(guò)在電池電壓達(dá)到約14v或電流上升到2安培以上時(shí)關(guān)閉來(lái)限制電池電流。

2023-10-06 標(biāo)簽：電池充電器電池充電電路功率晶體管 868 0

功率晶體管的特征與定位

從本篇開(kāi)始，介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位：首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFE...

2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管功率晶體管 861 0

高頻小功率晶體管設(shè)計(jì)

產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。

2023-07-05 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓 808 0

3D亞納米時(shí)代，CMOS邏輯電路如何發(fā)展？

一種有些不尋常的方法是研究多層互連過(guò)程（BEOL）中的存儲(chǔ)器等構(gòu)建元件。多層布線下面通常是CMOS邏輯電路。因此，理論上，BEOL中內(nèi)置的元件不會(huì)增加硅...

2023-11-22 標(biāo)簽：CMOS 反相器圖像傳感器 755 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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