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標(biāo)簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來(lái)的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。
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功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來(lái)的新型射頻功率器件。
上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSF...
從本篇開(kāi)始,介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位:首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFE...
這意味著A 類放大器配置是理想的工作模式,因?yàn)榧词乖谪?fù)半周期內(nèi),輸出波形也不會(huì)有交越或關(guān)斷失真。A 類功率放大器輸出級(jí)可以使用單個(gè)功率晶體管或連接在一起...
從本文開(kāi)始,將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究...
SiC-MOSFET和功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較
近年來(lái)超級(jí)結(jié)(Super Junction)結(jié)構(gòu)的MOSFET(以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”)應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,ROHM已經(jīng)開(kāi)...
電源的基本設(shè)計(jì)模型,包括了整流器和負(fù)載器件,以及串聯(lián)在一起的控制元件。圖 1 是串行調(diào)整電源的簡(jiǎn)化電路圖,它包括了作為電源開(kāi)關(guān)的相位控制預(yù)調(diào)整器,串聯(lián)在...
到20世紀(jì)中葉,電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛(ài)迪生發(fā)明的電燈通過(guò)照亮街道、工廠和住宅,提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過(guò)高效電機(jī)實(shí)現(xiàn)的制冷,...
PartSim 是一個(gè)基于網(wǎng)絡(luò)的程序,使用戶無(wú)需安裝任何軟件即可創(chuàng)建和模擬電子電路。本文將繼續(xù)探索這個(gè)復(fù)雜的模擬系統(tǒng)所提供的可能性。
您可以使用此電路圖輕松地從家用電源線激活 LED。您只需添加一個(gè)無(wú)極性電容器和一個(gè) 1Kohm / 1W 金屬氧化物電阻器,即可通過(guò)串聯(lián)連接從家用電源線...
基于構(gòu)建的運(yùn)算放大器 NE5532 和一對(duì)功率晶體管 TIP41A / TIP42A,該音頻放大器電路能夠向 8 歐姆揚(yáng)聲器提供高達(dá) 10W 的音頻功率輸出。
2022-06-17 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器NE5532功率晶體管 6706 0
利用2N2219A設(shè)計(jì)的1.5瓦FM發(fā)射器電路
這是一個(gè)使用功率晶體管2N2219A的簡(jiǎn)單、精心設(shè)計(jì)的1.5瓦FM發(fā)射器電路。該電路應(yīng)該能夠覆蓋1-2公里范圍。它使用+5-30V電源工作。
這是發(fā)射功率輸出高達(dá)15W的遠(yuǎn)程FM發(fā)射器。這款15W調(diào)頻發(fā)射器使用功率晶體管BLY88C作為主發(fā)射放大器。
2022-06-09 標(biāo)簽:發(fā)射器調(diào)頻發(fā)射器功率晶體管 2740 0
GaN功率晶體管的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)量技術(shù)的挑戰(zhàn)和方法
動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻對(duì)于 GaN 功率晶體管的可靠和穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。然而,許多工程師都在努力評(píng)估動(dòng)態(tài) RDS(ON),因?yàn)楹茈y以足夠的分辨率對(duì)其進(jìn)行一致測(cè)量。...
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