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標簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點。特別適合在集成電路中作功率器件。
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EPC增強型GaN-on-Silicon功率晶體管:EPC2045
低壓氮化鎵(GaN)器件市場越來越重要,EPC是低壓硅上氮化鎵(GaN-on-silicon)高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的主要供應商。
2017-10-18 標簽:功率晶體管 1.1萬 0
GaN功率晶體管的動態(tài)導通電阻測量技術的挑戰(zhàn)和方法
動態(tài)導通電阻對于 GaN 功率晶體管的可靠和穩(wěn)定運行至關重要。然而,許多工程師都在努力評估動態(tài) RDS(ON),因為很難以足夠的分辨率對其進行一致測量。...
三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路相比有哪些特點 三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路是兩種常見的電力電子整流電路。它們在一些工業(yè)應用中具有重要作...
EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管,比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設計人員而設計,在極小的芯片級封裝中,實現(xiàn)?350 V、80 mΩ?最大?RDS(on)和26 A 峰值電流,...
EPC發(fā)布了新款350V GaN功率晶體管EPC2050
據(jù)麥姆斯咨詢報道,Efficient Power Conversion(EPC,美國宜普電源轉換公司)發(fā)布了新款350V GaN功率晶體管EPC2050...
氮化鎵功率技術大熱,Transphorm創(chuàng)新HEMT結構“劍走偏鋒”高壓器件
氮化鎵技術因其在低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)?;纳a(chǎn)能力,近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術趨勢論...
2018年功率晶體管銷售額再創(chuàng)新高 增長14%
根據(jù)2019年的報告,功率晶體管的銷售額增長率達到兩位數(shù),再創(chuàng)新高。
丹東華奧電子有限公司成立于2001年,專業(yè)從事汽車/摩托車電子電器配套用集成電路和晶體管開發(fā)、設計、生產(chǎn)、推廣應用和服務。 產(chǎn)品出口國際市場。 公司為汽...
IC Insights | 泡沫式增長后,功率晶體管銷售額再創(chuàng)新高
根據(jù)IC Insights的2019年OSD報告顯示,2018年功率晶體管的銷售額增長率達到兩位數(shù)(14%),總額達到創(chuàng)紀錄的163億美元。
Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業(yè)領先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體...
電子負載和電阻負載區(qū)別 電子負載和電阻負載是電子學中常見的兩種負載,它們在測試電路、進行數(shù)據(jù)采集和模擬分析等方面起到重要的作用。雖然它們都是用來模擬負載...
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