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標(biāo)簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來(lái)的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。
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在汽車(chē)、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對(duì)在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長(zhǎng)。而在電動(dòng)汽車(chē) (EV) 領(lǐng)域,通過(guò)提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和加快電池充電速度,此類(lèi)優(yōu)化...
中、低頻大功率晶體管:中、低頻大功率晶體管一般用在電視機(jī)、音響等家電中作為電源調(diào)整管、開(kāi)關(guān)管、場(chǎng)輸出管、行輸出管、功率輸出管或用在汽車(chē)電子點(diǎn)火電路、逆變...
2024-03-31 標(biāo)簽:集成電路功率開(kāi)關(guān)晶體管 3091 0
什么是集電極開(kāi)路電路 集電極開(kāi)路是什么門(mén)電路
OC門(mén)電路的輸出電平取決于外接的上拉電阻或電源電壓,因此在使用時(shí)需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的上拉電阻或電源電壓,以確保電路的正常工作。
Tgard? TNC-6 耐高溫產(chǎn)品系列,無(wú)需在組裝過(guò)程中使用機(jī)械緊固件,這不僅增加了寶貴的設(shè)計(jì)空間,還提高了熱傳遞性能的一致性。
硅(Si)晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)的基本構(gòu)建模塊,它們?cè)谟?jì)算機(jī)、通信系統(tǒng)、消費(fèi)電子產(chǎn)品以及電力管理中扮演著至關(guān)重要的角色。硅作為半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢(shì)在于其豐富的資...
只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此,1959年末開(kāi)發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技外延生長(zhǎng)。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢?
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)柵極關(guān)斷晶閘管
雙極功率晶體管的電流放大倍數(shù)和通態(tài)特性會(huì)隨著電壓級(jí)別的增加而迅速降低,因此抑制了其在電壓高于2kV 牽引設(shè)備(如電力機(jī)車(chē)) 應(yīng)用中的發(fā)展。在直流電路中,...
有源逆變電路是一種常見(jiàn)的電子電路,它能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電。有源逆變電路有多種類(lèi)型,每種類(lèi)型都有其特定的應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)。
LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)和DC-DC(直流到直流)轉(zhuǎn)換器是電子設(shè)備中常用的兩種電源管理模塊,它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景下具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。本文將詳盡、詳...
2023-12-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器ldo電子設(shè)備 1811 0
3D亞納米時(shí)代,CMOS邏輯電路如何發(fā)展?
一種有些不尋常的方法是研究多層互連過(guò)程(BEOL)中的存儲(chǔ)器等構(gòu)建元件。多層布線下面通常是CMOS邏輯電路。因此,理論上,BEOL中內(nèi)置的元件不會(huì)增加硅...
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2024-08-06 標(biāo)簽:功率晶體管 85 0
BLL9G1214L-600/BLL9G1214LS-600雷達(dá)功率晶體管數(shù)據(jù)表立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2024-07-22 標(biāo)簽:雷達(dá)LDMOS功率晶體管 124 0
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2023-06-19 標(biāo)簽:晶體管功率晶體管 196 0
650V CoollMOS TM CFDA功率晶體管IPW65R080CFDA規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2022-10-12 標(biāo)簽:MOSFET功率晶體管 445 0
SPTECH硅NPN功率晶體管2SC5354英文手冊(cè)立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2022-09-29 標(biāo)簽:datasheetNPN功率晶體管 324 0
應(yīng)用指南導(dǎo)讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局
作為寬禁帶半導(dǎo)體,氮化鎵(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而,GaN器件的高速開(kāi)關(guān)行為也對(duì)PCB布局設(shè)計(jì)提出了...
英飛凌IPD50N10S3L-16:高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書(shū)
概述: 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管,工作電壓最高達(dá)到1kV(SiC:2kV),具有高開(kāi)關(guān)速度和最佳效率。 這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電...
2024-08-12 標(biāo)簽:英飛凌MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 289 0
蔚來(lái)汽車(chē)與芯聯(lián)集成SiC模塊合作項(xiàng)目C樣下線,即將進(jìn)入量產(chǎn)階段
“蔚來(lái)&芯聯(lián)集成合作伙伴大會(huì)暨蔚來(lái)自研SiC模塊C樣下線儀式”在芯聯(lián)集成紹興總部舉行,標(biāo)志著該項(xiàng)目即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2024-04-12 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)功率晶體管SiC模塊 711 0
GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時(shí)候是不是都要負(fù)電壓的?
GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時(shí)候是不是都要負(fù)電壓的? GTO和IGBT是兩種常見(jiàn)的電力電子元件,它們?cè)陉P(guān)斷過(guò)程中確實(shí)需要負(fù)電壓。 首先,讓我們了...
三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路相比有哪些特點(diǎn)
三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路相比有哪些特點(diǎn) 三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路是兩種常見(jiàn)的電力電子整流電路。它們?cè)谝恍┕I(yè)應(yīng)用中具有重要作...
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
SIC MOSFET在電路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率晶體管,具有較高的開(kāi)關(guān)速度和功率密度,廣泛應(yīng)用于多...
博世推出EG120電流源門(mén)極驅(qū)動(dòng)方案
眾所周知,博世擁有高性能SiC ,但是因?yàn)镾iC的可靠性問(wèn)題和一致性問(wèn)題始終困擾著眾多研發(fā)人員,那么應(yīng)該如何更好的發(fā)揮SiC的性能呢?
在高功率應(yīng)用中通常需要專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管?
在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中,通常需要專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管? 電源與充電樁等高功率應(yīng)用通常需要專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管,主要...
2023-10-22 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器控制電路功率晶體管 708 0
如何實(shí)現(xiàn)三相穩(wěn)壓器三相負(fù)載不平衡輸出
如何實(shí)現(xiàn)三相穩(wěn)壓器三相負(fù)載不平衡輸出? 三相穩(wěn)壓器是一種常用的電力電子器件,用于穩(wěn)定交流電壓,保護(hù)負(fù)載設(shè)備不受電壓波動(dòng)影響,以達(dá)到供電平穩(wěn)的目的。三相負(fù)...
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