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功率場(chǎng)效應(yīng)管

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  功率場(chǎng)效應(yīng)管一般指功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

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功率場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)介

  功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類:按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道,增強(qiáng)型;對(duì)于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道,功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。

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功率場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)

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功率場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作特性

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功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(FieldEffec...

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特點(diǎn)_功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)

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MOSFET的類型很多,按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道;根據(jù)柵極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強(qiáng)型。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強(qiáng)型。

2019-10-11 標(biāo)簽:晶體管功率場(chǎng)效應(yīng)管 9083 0

功率場(chǎng)效應(yīng)管的基本特性,如何提高功率MOSFET的動(dòng)態(tài)性能

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電力場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理

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