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刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕資訊

硅在氫氧化鉀水溶液中的刻蝕機理

本文根據(jù)測量的OCP和平帶電壓，構(gòu)建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖，進行了輸入電壓特性的測量來驗證這些能帶圖...

2022-03-17 標簽：硅材料刻蝕 1561 0

氮化鎵的大面積光電化學蝕刻技術(shù)

本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。

2022-03-17 標簽：工藝氮化鎵刻蝕 1423 0

關(guān)于刻蝕的重要參數(shù)報告

刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示，刻蝕窗口的深度稱為臺階高度。為了高的產(chǎn)量，希望有高的刻蝕速率。在采用單片工藝...

2022-03-15 標簽：材料硅片刻蝕 3631 0

單片濕法刻蝕—《華林科納-半導體工藝》

摘要 ? 絕緣體上硅（SOI）晶片是目前非常重要的材料，它是通過使用兩個硅晶片的晶片鍵合技術(shù)制備的。該生產(chǎn)過程需要在硅晶片表面形成的二氧化硅薄膜非常干凈...

2022-03-02 標簽：半導體刻蝕 1061 0

改善刻蝕均勻性的技術(shù)

摘要一種形成介電間隔物的方法，包括提供襯底，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁該襯底包括具有第一多個柵極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有第二多個柵極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)...

2022-02-24 標簽：半導體刻蝕 1990 0

氧化硅刻蝕速率的提高方法

摘要等離子體蝕刻工藝，特別適用于在具有非氧化物成分的特征上選擇性蝕刻氧化物，例如氮化硅，尤其是當該特征具有在氧化物蝕刻期間易于刻面的角部時。主要的含氟...

2022-02-24 標簽：半導體刻蝕 3150 0

碳化硅和二氧化硅之間穩(wěn)定性的刻蝕選擇性

磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來蝕刻對二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產(chǎn)需要完全去除Si3N4，同...

2022-02-15 標簽：裝置碳化硅刻蝕 3298 0

ZnO薄膜的濕法刻蝕研究報告—華林科納

摘要 FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過觸控筆輪廓儀和掃描...

2022-01-26 標簽：半導體刻蝕 553 0

各向異性金剛石刻蝕的研究報告

摘要金剛石具有優(yōu)良的物理和電子性能，因此使用金剛石的各種應(yīng)用正在開發(fā)中。此外，通過蝕刻技術(shù)控制金剛石幾何形狀對于這類應(yīng)用至關(guān)重要。然而，用于蝕刻其他材...

2022-01-21 標簽：半導體刻蝕 1275 0

關(guān)于AlN和GaN的刻蝕對比研究—江蘇華林科納半導體

引言 AlN、GaN及其合金因其寬帶隙和獨特的性能被廣泛應(yīng)用于光電子領(lǐng)域，例如基于AlGaN的紫外線發(fā)光二極管(UV-LEDs) ，激光二極管(LD)，...

2022-01-14 標簽：半導體刻蝕 3510 0

KOH硅濕化學刻蝕—江蘇華林科納半導體

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕基底。也就是說，它們...

2022-01-11 標簽：刻蝕 GBDT 2562 0

LiNbO3選擇性刻蝕的研究

引言隨著制造技術(shù)的不斷進步，特別是基于納米或微米結(jié)構(gòu)的制造，已經(jīng)研究出了具有強光學限制的各種制造工藝.兩種最廣泛使用的基于擴散的制造波導的方法已經(jīng)在超...

2021-12-24 標簽：半導體刻蝕 659 0

LiNbO3刻蝕速率與晶體取向的關(guān)系

引言鈮酸鋰是一種廣泛應(yīng)用于光學和聲表面波器件的鐵電材料。鈮酸鋰通常不用于微機電系統(tǒng)(MEMS)應(yīng)用，部分原因是鈮酸鋰的體微加工不如與其他材料的加工那樣...

2021-12-24 標簽：半導體刻蝕 1041 0

表面增強拉曼散射（SERS）的相關(guān)應(yīng)用研究

自從發(fā)現(xiàn)表面增強拉曼散射(SERS)對于粗糙表面的影響以來，許多研究已經(jīng)開始對多樣化的、有發(fā)展的SERS基底進行了探索。目前，大多數(shù)的研究集中在各種納米...

2021-12-03 標簽：電磁場刻蝕 3980 0

memsstar在MEMS領(lǐng)域的技術(shù)實力，以及近期取得的進展

雖然我們提供的產(chǎn)品是MEMS設(shè)備，但那只是我們技術(shù)和工藝的載體。我們的MEMS設(shè)備中包含的先進MEMS工藝經(jīng)驗和知識，并且我們團隊還專注于可能在10~1...

2021-05-13 標簽：mems 供應(yīng)鏈刻蝕 2752 0

半導體設(shè)備大廠Lam ResearchQ3營收創(chuàng)紀錄三分之一營收來自中國

4月21日，半導體設(shè)備大廠Lam Research發(fā)布2021第三季度財報，營收創(chuàng)下新高，達到38.5億美元，高于此前37.2億美元的預(yù)期，達到單季的最...

2021-04-22 標簽：刻蝕營收 Lam Research 6179 1

【芯聞精選】八寸晶圓廠狂漲價，硅片單價突破 1000 美元創(chuàng)十年新高；中微公司刻蝕機已進入國際客戶5nm產(chǎn)線

產(chǎn)業(yè)新聞 ? 臻鼎科技控股高端集成電路封裝載板智能制造工廠項目昨日簽約 ? 4月6日，臻鼎科技控股高端集成電路封裝載板智能制造工廠項目簽約儀式在秦皇島經(jīng)...

2021-04-08 標簽：晶圓物聯(lián)網(wǎng)刻蝕 4543 0

詳細分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

摘要：簡述了在SiC材料半導體器件制造工藝中,對SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展狀況. 半導體器件已廣泛應(yīng)用...

2020-12-30 標簽：碳化硅刻蝕 9579 0

基于ICP的金屬鈦深刻蝕，它的實驗流程是怎樣的

摘要：MEMS應(yīng)用領(lǐng)域的擴展要求開發(fā)硅材料之外其他新型材料的三維微細加工技術(shù)．為此，對金屬鈦這一新型MEMS體材料的三維加工進行了探索．金屬鈦不僅延展性...

2020-12-29 標簽：ICP 刻蝕 3251 0

干法刻蝕之鋁刻蝕的介紹，它的原理是怎樣的

在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特...

2020-12-29 標簽：集成電路刻蝕 1.0萬 0

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