刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕資訊

半導(dǎo)體前端工藝：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是...

2023-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 2091 0

東京電子成功開(kāi)發(fā)400層堆疊3D NAND閃存技術(shù)

這一創(chuàng)新技術(shù)可在短短33分鐘內(nèi)完成10微米深度的刻蝕，比以往的技術(shù)大大縮短了時(shí)間。東京電子方面表示：“如果應(yīng)用該技術(shù)，不僅有助于制造高容量3d nand...

2023-06-12 標(biāo)簽：3D 刻蝕 1140 0

引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容

作者：泛林集團(tuán)半導(dǎo)體工藝與整合工程師 Sumant Sarkar 使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測(cè)寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型減少...

2023-03-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電容刻蝕 944 0

華林科納濕電子化學(xué)品工作站為濕法制程研究保駕護(hù)航

前言濕法制程工藝即制造過(guò)程中需要使用化學(xué)藥液的工藝，被廣泛使用于集成電路、平板顯示、太陽(yáng)能光伏等領(lǐng)域的制造過(guò)程中。以集成電路領(lǐng)域?yàn)槔?，晶圓制造過(guò)程中，...

2023-02-22 標(biāo)簽：制程晶圓制造刻蝕 577 0

PFA管用途之一：供酸系統(tǒng)（CDS）

主要用途：設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能...

2022-11-24 標(biāo)簽：cds 刻蝕 1781 0

濕法刻蝕和清洗（Wet Etch and Cleaning）

濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的...

2022-11-11 標(biāo)簽：集成電路刻蝕 1.5萬(wàn) 0

干法刻蝕和清洗（Dry Etch and Cleaning）

干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴(kuò)散到圓片表面被吸附。

2022-11-10 標(biāo)簽：等離子體刻蝕 6636 0

濕法刻蝕工藝操作規(guī)程

通過(guò)化學(xué)反應(yīng)腐蝕掉硅片背面及四周的PN結(jié)以達(dá)到正面與背面絕緣的目的同時(shí)去除正面的磷硅玻璃層。

2022-09-06 標(biāo)簽：工藝硅片刻蝕 2652 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝之濕法腐蝕工藝課堂4（中）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/28/pYYBAGLo3...

2022-08-09 標(biāo)簽：腐蝕刻蝕 730 0

干法刻蝕去除光刻膠的技術(shù)

灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化...

2022-07-21 標(biāo)簽：光刻膠刻蝕 7086 0

非晶碳層的刻蝕特性研究

介紹隨著半導(dǎo)體器件的小型化和超大規(guī)模集成(VLSI)電路的圖案密度的增加，單個(gè)光致抗蝕劑掩模不再適用于細(xì)線圖案化和接觸圖案化。盡管單光刻膠掩模工藝被...

2022-06-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 1733 0

碳化硅量子點(diǎn)的制備及應(yīng)用研究

尋找理想的體內(nèi)發(fā)光生物標(biāo)志物是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)，因?yàn)樾枰獫M足嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn):生物標(biāo)志物應(yīng)該(I)無(wú)毒和生物惰性，(ii)光穩(wěn)定，即不發(fā)光，iii)不顯示發(fā)光的...

2022-06-09 標(biāo)簽：碳化硅量子點(diǎn)刻蝕 598 0

TMAH溶液對(duì)硅得選擇性刻蝕研究

我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響，通過(guò)對(duì)比試驗(yàn)，評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理，各種表面...

2022-05-20 標(biāo)簽：刻蝕刻蝕機(jī) 2421 0

一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法

我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過(guò)調(diào)整蝕刻參數(shù)，如等離子體強(qiáng)度、溫度和持續(xù)時(shí)間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過(guò)程歸因于碳原子的氫...

2022-05-19 標(biāo)簽：石墨烯刻蝕 2557 0

采用射頻磁控濺射系統(tǒng)制備氧化鋅薄膜

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用射頻磁控濺射系統(tǒng)，在襯底溫度為275°C的氬氣氣氛下，在玻璃襯底上制備了氧化鋅薄膜，將沉積的氧化鋅薄膜在稀釋的鹽酸中蝕刻，制備...

2022-05-09 標(biāo)簽：射頻薄膜刻蝕 1893 0

硅化物膜的濺射刻蝕速率研究

我們測(cè)量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的濺射刻蝕速率，并研究了離子能量的依賴性，發(fā)現(xiàn)它們與二氧化硅薄膜的相對(duì)濺射刻蝕速率幾乎與...

2022-05-07 標(biāo)簽：測(cè)量硅薄膜刻蝕 1526 0

中微公司2022年第一季度收入9.49億元同比增長(zhǎng)57.31%

? ? ? 中微公司2022年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告 AMEC 2022 Q1 Report 中微公司于4月28日發(fā)布2022年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告，摘要如下：...

2022-04-28 標(biāo)簽：MOCVD 刻蝕中微公司 5257 0

詳解SC-I清洗的化學(xué)模型

RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔，在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟：標(biāo)準(zhǔn)清潔1（SC-1）和標(biāo)準(zhǔn)清潔2（SC-2）。SC-1溶液由氫氧化銨、過(guò)氧化...

2022-03-25 標(biāo)簽：晶片模型刻蝕 3781 0

泛林集團(tuán)推三款開(kāi)創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品此前宣布季度股息1.5美元每股

泛林集團(tuán)推三款開(kāi)創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品泛林集團(tuán)深信創(chuàng)新不僅來(lái)自于創(chuàng)新者，更需要共同合作、精確細(xì)致和努力交付才能實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。我們助力第四次工業(yè)革命，也是世界...

2022-03-22 標(biāo)簽：集成電路晶圓刻蝕 3054 0

泛林集團(tuán)推開(kāi)創(chuàng)性的選擇性刻蝕解決方案加速實(shí)現(xiàn)3D

通過(guò)與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)的合作，他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實(shí)現(xiàn)突破，這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲(chǔ)設(shè)備。

2022-03-22 標(biāo)簽：刻蝕刻蝕工藝泛林集團(tuán) 2152 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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