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標(biāo)簽 > 刻蝕

刻蝕

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刻蝕,英文為Etch,它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

單晶SiC晶圓加工過(guò)程中的低溫濕法蝕刻

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硅片在大口徑化的同時(shí),要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格,因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā),實(shí)現(xiàn)了無(wú)蝕刻化,無(wú)拋光化。雖然在單晶SiC...

2022-04-15 標(biāo)簽:晶圓SiC刻蝕 1875 0

通過(guò)化學(xué)濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發(fā)光二極管

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最近,氮化鎵基藍(lán)色、綠色和紫外線發(fā)光二極管取得了巨大進(jìn)展。這些氮化物基發(fā)光二極管也有可能用于固態(tài)照明。然而,為了實(shí)現(xiàn)固態(tài)照明,需要進(jìn)一步提高這些發(fā)光二極...

2022-04-12 標(biāo)簽:工藝發(fā)光二極管刻蝕 1343 0

硅晶圓蝕刻過(guò)程中的流程和化學(xué)反應(yīng)

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引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,是極其重要的,將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中,晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工...

2022-04-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅晶圓刻蝕 2278 0

濕式蝕刻過(guò)程的原理是什么

濕式蝕刻過(guò)程的原理是什么

濕式蝕刻過(guò)程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物,選擇性非常高,因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大于1...

2022-04-07 標(biāo)簽:工藝刻蝕 3055 0

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅,研究發(fā)現(xiàn),在400~2200nm的波長(zhǎng)內(nèi),光的吸收顯著增強(qiáng),其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3040 0

采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅

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本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜,采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅,樣品在250~1000nm波長(zhǎng)下的吸收率接近90%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,氮化硅膜作為掩模濕...

2022-03-29 標(biāo)簽:測(cè)試材料刻蝕 988 0

通過(guò)兩步濕法刻蝕法制備黑硅

通過(guò)兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對(duì)黑硅的形成進(jìn)行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)步驟。第一步:濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài),具有降低紋理化溫度的新解決方案;第二步:通過(guò)金屬輔助蝕...

2022-03-29 標(biāo)簽:工藝晶片刻蝕 1047 0

微機(jī)械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

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單晶S1, 作為IC、LSI的電子材料, 用于微小機(jī)械部件的材料,也就是說(shuō),作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來(lái)了。其理由是, 除了單晶SI或機(jī)械性強(qiáng)之外,...

2022-03-29 標(biāo)簽:晶圓單晶硅刻蝕 1327 0

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底;通過(guò)在基底上施加一層材料來(lái)形成非金屬掩模層;形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域;并以第一速率用...

2022-03-29 標(biāo)簽:SiC碳化硅刻蝕 1850 0

n型多孔硅刻蝕時(shí)間的效應(yīng)分析

n型多孔硅刻蝕時(shí)間的效應(yīng)分析

引言 硅在歷史上一直是電子產(chǎn)品的主要材料,而光電子領(lǐng)域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶...

2022-03-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體刻蝕 3645 0

用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

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硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因?yàn)榱蛩峒尤攵艿斤@著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

2022-01-13 標(biāo)簽:多晶硅半導(dǎo)體晶圓 3494 0

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引言 人們對(duì)用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù),可以作為第三族氮化物外延生長(zhǎng)的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域,例...

2022-01-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2178 0

二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學(xué)及HF輔助刻蝕的觀察

二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學(xué)及HF輔助刻蝕的觀察

關(guān)鍵詞:玻璃陶瓷;氫氟酸;蝕刻條件;蝕刻速率;機(jī)制 引言 我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機(jī)理。結(jié)果表明,在...

2022-01-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓刻蝕 2330 0

SiO2在氫氟酸中的刻蝕機(jī)理

SiO2在氫氟酸中的刻蝕機(jī)理

摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點(diǎn),并研究了SiQ的蝕刻反應(yīng)作為高頻溶液中不同物種的函數(shù)。基于HF二聚體的存在,建立了一種新的SiO~蝕刻...

2021-12-31 標(biāo)簽:晶圓鍍膜刻蝕 4825 0

半導(dǎo)體濕法化學(xué)刻蝕工藝觀察

半導(dǎo)體濕法化學(xué)刻蝕工藝觀察

我們提出了一種觀察鋁層蝕刻截面的方法,并將其應(yīng)用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結(jié)果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時(shí)間變化,和抗蝕劑寬度對(duì)幾何形狀的...

2021-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體刻蝕 4274 0

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕 南通華林科納

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最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進(jìn)展重新引起了我們對(duì)用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。

2021-12-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體襯底光刻膠 1495 0

兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕

反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的(如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征)。光刻膠是另一個(gè)剝離的例子。總的來(lái)說(shuō),有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕工藝條件...

2018-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體刻蝕 7.1萬(wàn) 0

微流控芯片的發(fā)展及制造工藝介紹

微全分析系統(tǒng)的概念是在1990年首欠由瑞士Ciba2Geigy公司的Manz與Widmer提出的,當(dāng)時(shí)主要強(qiáng)調(diào)了分析系統(tǒng)的微與全,及微管道網(wǎng)絡(luò)的MEMS...

2018-09-05 標(biāo)簽:mems光刻微流控芯片 7402 0

深度解讀TSV 的工藝流程和關(guān)鍵技術(shù)

深度解讀TSV 的工藝流程和關(guān)鍵技術(shù)

要實(shí)現(xiàn)三維集成,需要用到幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù),如硅通孔(TSV),晶圓減薄處理,以及晶圓/芯片鍵合。TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺寸等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是三維...

2017-11-24 標(biāo)簽:tsv硅通孔刻蝕 6.4萬(wàn) 2

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