刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

一種用于先進(jìn)封裝的圓臺(tái)硅通孔的刻蝕方法

在集成電路的制造階段延續(xù)摩爾定律變得越發(fā)困難，而在封裝階段利用三維空間可以視作對(duì)摩爾定律的拓展。硅通孔是利用三維空間實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封裝的常用技術(shù)手段，現(xiàn)有技...

2023-04-12 標(biāo)簽：傳感器芯片集成電路 2122 0

AlN和Sc0.2Al0.8N薄膜的濕法化學(xué)腐蝕

用鈧?cè)〈恍╀X可以增加壓電性能，但也使薄膜的沉積和圖案形成更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-21 標(biāo)簽：蝕刻工藝壓電材料刻蝕 1399 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡(jiǎn)述(3)

對(duì)于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點(diǎn)都取決于時(shí)間，而時(shí)間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動(dòng)監(jiān)測(cè)終點(diǎn)的方法，所以通常由操作員目測(cè)終點(diǎn)。濕法...

2023-03-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體等離子體 2770 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡(jiǎn)述(2)

嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會(huì)提高。對(duì)于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過(guò)1...

2023-03-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體晶圓 1531 0

半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

單晶硅刻蝕用來(lái)形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。

2023-02-13 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 1.0萬(wàn) 0

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝

等離子體圖形化刻蝕過(guò)程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。

2023-02-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 4022 0

平面互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程

該工藝是指在形成層間介質(zhì)層（ILD）后，插入工序以形成高k介質(zhì)和金屬柵疊層，即在化學(xué)機(jī)械拋光（露出多晶硅柵疊層）后，刻蝕掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用...

2023-01-17 標(biāo)簽：CMOS 多晶硅晶體管 2866 0

一文解讀DRAM的9大刻蝕技術(shù)

在將晶圓制成半導(dǎo)體的過(guò)程中需要采用數(shù)百項(xiàng)工程。其中，一項(xiàng)最重要的工藝是蝕刻（Etch）——即，在晶圓上刻畫(huà)精細(xì)電路圖案。蝕刻（Etch）工程的成功取決于...

2023-01-07 標(biāo)簽：DRAM 刻蝕 5610 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝詳解

與濕式刻蝕比較，等離子體刻蝕較少使用化學(xué)試劑，因此也減少了化學(xué)藥品的成本和處理費(fèi)用。

2022-12-29 標(biāo)簽：晶圓工藝等離子 2430 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝

由下圖可以看出當(dāng)氣體密度較高時(shí)MFP較短(a);而當(dāng)氣體密度較低時(shí)，MFP就較長(zhǎng)(b)。大粒子的截面積較大，掃過(guò)的空間也較大。與一般或較小的離子相比，大...

2022-12-05 標(biāo)簽：工藝等離子刻蝕 1758 0

綜述：MEMS制造工藝研究進(jìn)展

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，來(lái)自南京理工大學(xué)的研究人員于《新型工業(yè)化》期刊發(fā)表綜述文章，總結(jié)了體微加工技術(shù)和表面微加工常用的MEMS加工工藝的原理、加工方法...

2022-11-30 標(biāo)簽：mems 制造工藝刻蝕 1460 0

InAs/GaSb II類超晶格長(zhǎng)波焦平面陣列臺(tái)面ICP刻蝕技術(shù)研究

基于GaSb材料，包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設(shè)計(jì)成各種新型材料和器件，尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨(dú)特的II型能帶結(jié)構(gòu)，可以...

2022-11-29 標(biāo)簽：工藝晶格 ICP 1716 0

半導(dǎo)體制造之離子工藝

其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基，自由基至少帶有一個(gè)不成對(duì)的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非?；钴S，能奪取其他原子或分子的電子形...

2022-11-28 標(biāo)簽：等離子體工藝 CVD 1282 0

偉大的工程之芯片制造

縱觀整個(gè)制造業(yè)，芯片的制造流程可以說(shuō)是最復(fù)雜的之一，這項(xiàng)點(diǎn)石成金術(shù)可分為八個(gè)大步驟，如下圖所示，這些步驟又可細(xì)分為上百道工序。

2022-11-11 標(biāo)簽：晶圓芯片制造刻蝕 2987 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程（中篇）

本期，我們將繼續(xù)探索半導(dǎo)體制造過(guò)程中的兩大關(guān)鍵步驟：刻蝕和薄膜沉積。

2022-08-01 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 5355 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程（下篇）

在今天的推文中，我們將繼續(xù)介紹最后三個(gè)步驟：互連、測(cè)試和封裝，以完成半導(dǎo)體芯片的制造。

2022-08-01 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 3902 0

污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機(jī)和金屬污染中，以研究它們對(duì)堿性紋理化過(guò)程的影響，由此可見(jiàn)，無(wú)機(jī)污染對(duì)金...

2022-05-18 標(biāo)簽：晶片清洗刻蝕 817 0

詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過(guò)程

本文報(bào)道了這種化學(xué)鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過(guò)掃描電鏡檢查，研究了各種預(yù)處理刻蝕過(guò)程和鋅酸鹽活化對(duì)最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細(xì)了解...

2022-05-13 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 1752 0

通過(guò)濕法化學(xué)刻蝕制備多孔氧化鋅薄膜

本文用濕化學(xué)腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過(guò)射頻磁控濺射在擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，Z...

2022-04-24 標(biāo)簽：薄膜刻蝕 1434 0

晶片濕法刻蝕工藝詳解

　　濕式蝕刻過(guò)程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大...

2022-04-15 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 2912 0

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