刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

芯片封裝為什么要用到*** 封裝***與芯片***的區(qū)別

在芯片制造過程中，光刻機(jī)用于在硅片上形成光刻膠圖形，作為制造電路的模板。光刻機(jī)使用紫外光或其他光源照射硅片上的光刻膠，并通過投影光學(xué)系統(tǒng)將圖形投射到硅片...

2023-09-12 標(biāo)簽：芯片制造芯片封裝光學(xué)系統(tǒng) 2847 0

淺談PCB蝕刻質(zhì)量及先期存在的問題

要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層...

2023-09-07 標(biāo)簽：pcb 印刷電路板蝕刻 1781 0

pcb蝕刻是什么意思

　在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。

2023-09-06 標(biāo)簽：pcb 蝕刻刻蝕 1826 0

干法刻蝕在工藝制程中的分類介紹（干法刻蝕關(guān)鍵因素研究）

濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法...

2023-08-28 標(biāo)簽：芯片集成電路刻蝕 4134 0

光伏刻蝕工藝流程光刻蝕刻加工原理是什么

光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，...

2023-08-24 標(biāo)簽：太陽能電池光刻膠刻蝕 4644 0

刻蝕工藝主要分為哪幾種類型刻蝕的目的是什么？

PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...

2023-08-17 標(biāo)簽：芯片封裝半導(dǎo)體器件刻蝕 6529 0

半導(dǎo)體制造工藝解析

WCMP是電子束檢測應(yīng)用最重要的一層，這一層的功能主要體現(xiàn)在：可以使工程師遇到器件的漏電和接觸不良問題。EBI的應(yīng)用可以幫助提升成品率，減少半導(dǎo)體ict...

2023-08-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管電子束 2376 0

全球封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝邁進(jìn)的轉(zhuǎn)變

先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測廠商，市場格局較為集中，前6 大廠商份額合計超過80%。全球主要的 6 家廠商，包...

2023-08-11 標(biāo)簽：芯片摩爾定律封裝技術(shù) 831 0

刻蝕分為哪兩種方式刻蝕的目的和原理

刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)?？涛g的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。

2023-08-01 標(biāo)簽：集成電路電子器件刻蝕 8519 0

刻蝕工藝流程和步驟酸性蝕刻和堿性蝕刻的區(qū)別

刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個過程常常用于雕刻芯...

2023-07-28 標(biāo)簽：集成電路蝕刻芯片封裝 9150 0

一種孔徑小于10納米的固態(tài)納米孔制備新技術(shù)

高質(zhì)量固態(tài)納米孔的制備是DNA測序、納流器件以及納濾膜等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，在無機(jī)薄膜材料中制備固態(tài)納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。

2023-07-04 標(biāo)簽：電子束刻蝕 390 0

半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，...

2023-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 1626 0

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 1671 0

淺談封裝開封技術(shù)

環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式，環(huán)氧塑封器件開封方法有化學(xué)方法、機(jī)械方法和等離子體刻蝕法，化學(xué)方法是最廣泛使用的方法，又分手動開封和機(jī)械開封兩種。

2023-06-25 標(biāo)簽：芯片 IC 封裝 969 0

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材...

2023-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶硅刻蝕 6992 0

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶...

2023-06-05 標(biāo)簽：多晶硅晶片刻蝕 3315 0

金屬濕法刻蝕

但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對Ni（Pt...

2023-05-29 標(biāo)簽：CMOS 刻蝕金屬柵極 4210 0

離子注入技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

離子注入過程提供了比擴(kuò)散過程更好的摻雜工藝控制（見下表）。例如，摻雜物濃度和結(jié)深在擴(kuò)散過程中無法獨(dú)立控制，因?yàn)闈舛群徒Y(jié)深都與擴(kuò)散的溫度和時間有關(guān)。離子注...

2023-05-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝硅晶圓 3298 0

詳解電池片全工序工藝

采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應(yīng)，采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到硅片邊緣，在那里與硅進(jìn)行反應(yīng)，...

2023-05-06 標(biāo)簽：太陽電池電池片刻蝕 5635 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述

等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競爭的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系...

2023-04-21 標(biāo)簽：芯片等離子體封裝 2498 0

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