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      標(biāo)簽　>　刻蝕

      刻蝕

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      刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻 ［1］ 相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

      文章：188個 視頻：10個 瀏覽：13155次 帖子：0個

      刻蝕技術(shù)

      兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕

      反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子?？偟膩碚f，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件...

      2018-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 7.1萬 0

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      要實現(xiàn)三維集成，需要用到幾個關(guān)鍵技術(shù)，如硅通孔（TSV），晶圓減薄處理，以及晶圓/芯片鍵合。TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺寸等優(yōu)點，被認(rèn)為是三維...

      2017-11-24 標(biāo)簽：tsv硅通孔刻蝕 6.4萬 2

      半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

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      單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。

      2023-02-13 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 9927 0

      刻蝕工藝流程和步驟 酸性蝕刻和堿性蝕刻的區(qū)別

      刻蝕和蝕刻實質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個過程常常用于雕刻芯...

      2023-07-28 標(biāo)簽：集成電路蝕刻芯片封裝 9026 0

      刻蝕分為哪兩種方式 刻蝕的目的和原理

      刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。

      2023-08-01 標(biāo)簽：集成電路電子器件刻蝕 8412 0

      微流控芯片的發(fā)展及制造工藝介紹

      微全分析系統(tǒng)的概念是在1990年首欠由瑞士Ciba2Geigy公司的Manz與Widmer提出的，當(dāng)時主要強(qiáng)調(diào)了分析系統(tǒng)的微與全，及微管道網(wǎng)絡(luò)的MEMS...

      2018-09-05 標(biāo)簽：mems光刻微流控芯片 7366 0

      半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

      半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

      離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材...

      2023-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶硅刻蝕 6898 0

      刻蝕工藝主要分為哪幾種類型 刻蝕的目的是什么？

      PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...

      2023-08-17 標(biāo)簽：芯片封裝半導(dǎo)體器件刻蝕 6445 0

      詳解電池片全工序工藝

      詳解電池片全工序工藝

      采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應(yīng)，采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到硅片邊緣，在那里與硅進(jìn)行反應(yīng)，...

      2023-05-06 標(biāo)簽：太陽電池電池片刻蝕 5577 0

      一文解讀DRAM的9大刻蝕技術(shù)

      在將晶圓制成半導(dǎo)體的過程中需要采用數(shù)百項工程。其中，一項最重要的工藝是蝕刻（Etch）——即，在晶圓上刻畫精細(xì)電路圖案。蝕刻（Etch）工程的成功取決于...

      2023-01-07 標(biāo)簽：DRAM刻蝕 5559 0

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      刻蝕帖子

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      刻蝕資訊

      濕法刻蝕和清洗（Wet Etch and Cleaning）

      濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的...

      2022-11-11 標(biāo)簽：集成電路刻蝕 1.5萬 0

      半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化機(jī)遇來臨，但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還是需要全球合作

      目前，國內(nèi)半導(dǎo)體材料與設(shè)備的國產(chǎn)化率平均還不到20%，但經(jīng)過15~20多年的技術(shù)積累，以及企業(yè)和國家的大力投入，半導(dǎo)體材料與設(shè)備在2020年將會獲得實質(zhì)...

      2020-05-28 標(biāo)簽：光刻機(jī)刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備 1.3萬 0

      干法刻蝕之鋁刻蝕的介紹，它的原理是怎樣的

      干法刻蝕之鋁刻蝕的介紹，它的原理是怎樣的

      在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特...

      2020-12-29 標(biāo)簽：集成電路刻蝕 1.0萬 0

      詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

      詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

      摘要：簡述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用...

      2020-12-30 標(biāo)簽：碳化硅刻蝕 9542 0

      國產(chǎn)刻蝕機(jī)很棒，但造芯片只是“配角”

      近來有網(wǎng)絡(luò)媒體稱，“中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米芯片制程生產(chǎn)線”，并評論說“中國芯片生產(chǎn)技術(shù)終于突破歐美封鎖...

      2019-02-16 標(biāo)簽：芯片刻蝕 8091 0

      干法刻蝕去除光刻膠的技術(shù)

      灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化...

      2022-07-21 標(biāo)簽：光刻膠刻蝕 7084 0

      鈍化層刻蝕對厚鋁鋁須缺陷影響的研究

      鈍化層刻蝕對厚鋁鋁須缺陷影響的研究

      2018-03-06 標(biāo)簽：刻蝕集成電路制造 6674 0

      干法刻蝕和清洗（Dry Etch and Cleaning）

      干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴(kuò)散到圓片表面被吸附。

      2022-11-10 標(biāo)簽：等離子體刻蝕 6635 0

      半導(dǎo)體設(shè)備大廠Lam ResearchQ3營收創(chuàng)紀(jì)錄 三分之一營收來自中國

      4月21日，半導(dǎo)體設(shè)備大廠Lam Research發(fā)布2021第三季度財報，營收創(chuàng)下新高，達(dá)到38.5億美元，高于此前37.2億美元的預(yù)期，達(dá)到單季的最...

      2021-04-22 標(biāo)簽：刻蝕營收Lam Research 6155 1

      隨著MEMS研究的深入，電化學(xué)刻蝕研究顯得越來越重要

      長期以來 ,微加工研究主要是針對微電子工業(yè)的應(yīng)用而開展的 ,其加工對象大都是半導(dǎo)體材料 ,如對 Si、Ge、GaAs 及各種金屬氧化物膜等材料的刻蝕 ,...

      2020-04-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 6044 0

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      刻蝕數(shù)據(jù)手冊

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