擊穿電壓

擊穿電壓是什么_擊穿電壓的工作原理是什么

本文開始介紹了擊穿電壓的概念和擊穿電壓的主要因素，其次闡述了擊穿電壓的工作原理以及介紹了影響介電擊穿強度的因素，最后介紹了電壓擊穿儀器使用時的注意事項。

2018-04-03 標簽：擊穿電壓 6.2萬 0

電源設計中電容的工作原理 各類電源中電容器的正確選用規(guī)則

電源往往是我們在電路設計過程中最容易忽略的環(huán)節(jié)。作為一款優(yōu)秀的設計，電源設計應當是很重要的，它很大程度影響了整個系統(tǒng)的性能和成本。

2024-03-22 標簽：電容器電源設計變換器 5.6萬 0

基于碰撞電離率的平行平面結及晶閘管研究

功率半導體器件設計的基礎是平行平面結，結的擊穿與體內載流子的碰撞電離密切相關，本次研究的重點結構是晶閘管，而晶閘管的阻斷與開啟都與體內載流子的運動有關。

2023-11-27 標簽：晶閘管擊穿電壓MATLAB仿真 3.6萬 0

UIS測試是什么？雪崩能量對實際應用的影響

UIS：英文全稱Unclamped Inductive Switching，中文譯為非嵌位感性負載開關過程。

2023-11-24 標簽：MOSFETUIS擊穿電壓 1.1萬 0

ESD器件的工作原理？CMOS I/O上的內部ESD保護實現(xiàn)

靜電保護器件（ESD） 是由一個或多個 TVS 晶粒采用不同的電路拓撲制成具有特定功能的多路或單路 ESD 保護器件。

2024-02-17 標簽：CMOSESD保護擊穿電壓 1.0萬 0

芯片的幾個重要測試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT

半導體生產流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成。而測試環(huán)節(jié)主要集中在CP（chip probing）、FT（Final Test）和WAT...

2023-12-01 標簽：半導體晶圓芯片封裝 7468 0

全方位理解功率MOSFET的雪崩失效現(xiàn)象

功率MOSFET在電力電子設備中應用十分廣泛，因其故障而引起的電子設備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進一步...

2023-12-04 標簽：三極管MOSFET晶體管 7173 0

齊納二極管的特性簡介及設計案例

齊納二極管（Zener diode）又叫穩(wěn)壓二極管，也是一種特殊用途二極管，但由于齊納二極管的是如此之重要，內容又比較多，所以這里單獨拉出來作為一個小節(jié)講。

2023-02-07 標簽：二極管電路穩(wěn)壓二極管 2539 0

氮化鎵的發(fā)展難題及技術突破盤點

同為第三代半導體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、飽和電子漂移速度...

2024-01-10 標簽：半導體氮化鎵MOCVD 2272 0

PN結曲率效應的產生及其對擊穿電壓的影響

在我們現(xiàn)有的功率半導體器件中，PN結占據了極其重要的地位，其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導體器件的可靠性及適用范圍。

2023-11-24 標簽：PN結擊穿電壓功率半導體 2117 0

12V系統(tǒng)車燈驅動電源口浪涌過壓防反接防護方案詳解

從圖中可知，方案針對車燈驅動電路電源輸入口的浪涌過壓防反接防護。在車載12V系統(tǒng)中，電源線上面的瞬態(tài)浪涌主要來源于拋負載。

2024-04-07 標簽：TVS二極管驅動電路電源線 2112 0

一文了解IGBT的極限值

在文件數(shù)據表中，按照IGBT 模塊（IGBT，二極管，殼體，溫度傳感器等）的各個組成部分別給出它們的極限值。

2023-12-01 標簽：二極管晶體管擊穿電壓 2073 0

TVS二極管規(guī)格書中的工作電壓、擊穿電壓和箝位電壓怎么靈活使用呢

在TVS二極管的規(guī)格書中，工作電壓、擊穿電壓和箝位電壓，帶回掃 TVS，低內阻TVS，這些參數(shù)，怎么靈活使用呢?

2024-03-07 標簽：TVS二極管擊穿電壓 2070 0