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擊穿電壓

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全部技術(shù) 資訊資料帖子

擊穿電壓技術(shù)

全方位理解功率MOSFET的雪崩失效現(xiàn)象

功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對(duì)于...

2023-12-04 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 晶體管 7169 0

IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異（2）

下面對(duì)電場(chǎng)積分，我們看看隨著增長(zhǎng)，即耗盡區(qū)深度的增長(zhǎng)，柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT PN結(jié)擊穿電壓 1142 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（3）

這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對(duì)于PIN1結(jié)構(gòu)，因?yàn)殛枠O和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子...

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT MOS PN結(jié) 1002 0

芯片的幾個(gè)重要測(cè)試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。而測(cè)試環(huán)節(jié)主要集中在CP（chip probing）、F...

2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片封裝 7468 0

一文了解IGBT的極限值

在文件數(shù)據(jù)表中，按照IGBT 模塊（IGBT，二極管，殼體，溫度傳感器等）的各個(gè)組成部分別給出它們的極限值。

2023-12-01 標(biāo)簽：二極管晶體管擊穿電壓 2073 0

基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析

我們應(yīng)用簡(jiǎn)單的Fulop模型對(duì)平行平面結(jié)進(jìn)行了分析，對(duì)復(fù)雜的Chynoweth模型進(jìn)行了化簡(jiǎn)，由化簡(...

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管 PN結(jié)擊穿電壓 1427 0

基于碰撞電離率的平行平面結(jié)及晶閘管研究

功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)是平行平面結(jié)，結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān)，本次研究的重點(diǎn)...

2023-11-27 標(biāo)簽：晶閘管擊穿電壓 MATLAB仿真 3.6萬 0

PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對(duì)擊穿電壓的影響

在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中，PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位，其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。

2023-11-24 標(biāo)簽：PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 2117 0

UIS測(cè)試是什么？雪崩能量對(duì)實(shí)際應(yīng)用的影響

UIS：英文全稱Unclamped Inductive Switching，中文譯為非嵌位感性負(fù)載開關(guān)過程。

2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFET UIS 擊穿電壓 1.1萬 0

功率二極管噪聲特性

根據(jù)實(shí)際電參數(shù)指標(biāo)要求，在25℃室溫情況下，當(dāng)測(cè)試電流IR=5μA時(shí)，器件反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）需...

2023-07-12 標(biāo)簽：功率二極管電阻器單晶硅電池 448 0

高頻小功率晶體管設(shè)計(jì)

產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。

2023-07-05 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓 866 0

齊納二極管的特性簡(jiǎn)介及設(shè)計(jì)案例

齊納二極管（Zener diode）又叫穩(wěn)壓二極管，也是一種特殊用途二極管，但由于齊納二極管的是如此之重要，內(nèi)容又比較多，所以這里單獨(dú)拉出來作為一個(gè)小節(...

2023-02-07 標(biāo)簽：二極管電路穩(wěn)壓二極管 2539 0

有源鉗位吸收器電路設(shè)計(jì)與數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式

隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大，導(dǎo)通電阻也會(huì)增大。在這樣場(chǎng)景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴，另外有源-鉗位方案優(yōu)勢(s...

2019-01-15 標(biāo)簽：MOSFET 有源鉗位電流吸收器 0 0

擊穿電壓是什么_擊穿電壓的工作原理是什么

本文開始介紹了擊穿電壓的概念和擊穿電壓的主要因素，其次闡述了擊穿電壓的工作原理以及介紹了影響介電擊穿強(qiáng)度的因素，最后介紹了電壓擊穿儀器使用時(shí)的注意事項(xiàng)。

2018-04-03 標(biāo)簽：擊穿電壓 6.2萬 0

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802.11ac

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IEEE 802.11ac，是一個(gè)802.11無線局域網(wǎng)（WLAN）通信標(biāo)準(zhǔn)，它通過5GHz頻帶（也是其得名原因）進(jìn)行通信。理論上，它能夠提供最多1Gbps帶寬進(jìn)行多站式無線局域網(wǎng)通信，或是最少500Mbps的單一連接傳輸帶寬。
是德科技

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是德科技公司(NYSE:KEYS)是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司,通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新,為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
TSV

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FLIR

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FLIR Systems Inc，（NASDAQ： FLIR）作為創(chuàng)新成像系統(tǒng)制造領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，其產(chǎn)品范圍涉及紅外熱像儀、航空攝像機(jī)和機(jī)械檢測(cè)系統(tǒng)等。FLIR產(chǎn)品已在全球60余個(gè)國(guó)家內(nèi)的工商業(yè)及政府領(lǐng)域中發(fā)揮了重要作用。
量子計(jì)算

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量子計(jì)算/量子計(jì)算機(jī)的概念是著名物理學(xué)家費(fèi)曼于1981年首先提出的。一般認(rèn)為傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)其理論模型是通用圖靈機(jī)；而量子計(jì)算是一種遵循量子力學(xué)規(guī)律調(diào)控量子信息單元進(jìn)行計(jì)算的新型計(jì)算模式。從計(jì)算的效率上來說量子計(jì)算處理問題的速度要快于傳統(tǒng)的通用計(jì)算機(jī)。
封測(cè)

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ICL7107

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致遠(yuǎn)電子

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廣州致遠(yuǎn)電子有限公司創(chuàng)立于2001年，作為智能物聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)品與解決方案供應(yīng)商，專注服務(wù)工業(yè)領(lǐng)域企業(yè)類用戶，提供從感知控制、互聯(lián)互通、邊緣計(jì)算到ZWS IoT-PaaS云平臺(tái)的產(chǎn)品與系統(tǒng)化方案。
太陽能逆變器

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逆變器又稱電源調(diào)整器、功率調(diào)節(jié)器，是光伏系統(tǒng)必不可少的一部分。光伏逆變器最主要的功能是把太陽能電池板所發(fā)的直流電轉(zhuǎn)化成家電使用的交流電，太陽能電池板所發(fā)的電全部都要通過逆變器的處理才能對(duì)外輸出。
PM2.5

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Alpha

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磁力計(jì)

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　　磁力計(jì)（Magnetic、M-Sensor）也叫地磁、磁感器，可用于測(cè)試磁場(chǎng)強(qiáng)度和方向，定位設(shè)備的方位，磁力計(jì)的原理跟指南針原理類似，可以測(cè)量出當(dāng)前設(shè)備與東南西北四個(gè)方向上的夾角。
萊特波特

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萊特波特LitePoint為全球最具創(chuàng)新力的無線設(shè)備制造商提供無線測(cè)試解決方案和服務(wù)，幫助他們確保其產(chǎn)品能夠滿足當(dāng)今高標(biāo)準(zhǔn)的消費(fèi)者需求。LitePoint是無線測(cè)試領(lǐng)域的領(lǐng)先創(chuàng)新企業(yè)，其產(chǎn)品開箱即用，可用于測(cè)試全球范圍內(nèi)最廣泛使用的無線芯片組。LitePoint與智能手機(jī)、平板電腦、個(gè)人電腦、無線接入點(diǎn)和芯片組的領(lǐng)先制造商合作。LitePoint也在新興互聯(lián)設(shè)備（物聯(lián)網(wǎng)）測(cè)試領(lǐng)域處于前沿。
泰克科技

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泰克有限責(zé)任公司（英文名Tektronix Inc.，以下簡(jiǎn)稱“泰克”）是一家全球領(lǐng)先的測(cè)試、測(cè)量和監(jiān)測(cè)解決方案提供商。泰克成立于1946年，是世界第一臺(tái)觸發(fā)式示波器的發(fā)明者。當(dāng)今泰克已成為全球主要的電子測(cè)試測(cè)量供應(yīng)商之一，其市場(chǎng)遍布全球各洲。
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SMW200A

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電源紋波

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電源紋波是在電源中，存在大量可以很輕松地與探針耦合的高速、大信號(hào)電壓和電流波形，其中包括耦合自電源變壓器的磁場(chǎng)，耦合自開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電場(chǎng)，以及由變壓器互繞電容產(chǎn)生的共模電流。
電氣化

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電氣化就是國(guó)民經(jīng)濟(jì)各部門和人民生活廣泛使用電力。電氣化沒有終極目標(biāo)。因?yàn)楝F(xiàn)在還沒有人能預(yù)見到第四次能源大轉(zhuǎn)變。人們更難預(yù)測(cè)電氣化將達(dá)到什么樣的程度，例如當(dāng)煤炭、石油和天然氣枯竭之后，電力的應(yīng)用會(huì)發(fā)展到何等地步。
四方光電

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四方光電股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“四方光電”）是一家從事智能氣體傳感器和高端氣體分析儀器的科創(chuàng)板上市企業(yè)。
頻率源

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voc

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紅外熱成像儀

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普源

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失調(diào)電壓

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　　失調(diào)電壓，又稱輸入失調(diào)電壓，指在差分放大器或差分輸入的運(yùn)算放大器中，為了在輸出端獲得恒定的零電壓輸出，而需在兩個(gè)輸入端所加的直流電壓之差。
pam4

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FSW

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