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標(biāo)簽 > 擊穿電壓

擊穿電壓

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文章:61個(gè) 瀏覽:9112 帖子:3個(gè)

擊穿電壓技術(shù)

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功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛,因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果,對(duì)于...

2023-12-04 標(biāo)簽:三極管MOSFET晶體管 7169 0

IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(2)

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下面對(duì)電場(chǎng)積分,我們看看隨著增長(zhǎng),即耗盡區(qū)深度的增長(zhǎng),柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。

2023-12-01 標(biāo)簽:IGBTPN結(jié)擊穿電壓 1142 0

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這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對(duì)于PIN1結(jié)構(gòu),因?yàn)殛枠O和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子...

2023-12-01 標(biāo)簽:IGBTMOSPN結(jié) 1002 0

芯片的幾個(gè)重要測(cè)試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT

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半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造,晶圓測(cè)試,芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。而測(cè)試環(huán)節(jié)主要集中在CP(chip probing)、F...

2023-12-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓芯片封裝 7468 0

一文了解IGBT的極限值

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在文件數(shù)據(jù)表中,按照IGBT 模塊(IGBT,二極管,殼體,溫度傳感器等)的各個(gè)組成部分別給出它們的極限值。

2023-12-01 標(biāo)簽:二極管晶體管擊穿電壓 2073 0

基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析

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我們應(yīng)用簡(jiǎn)單的Fulop模型對(duì)平行平面結(jié)進(jìn)行了分析,對(duì)復(fù)雜的Chynoweth模型進(jìn)行了化簡(jiǎn),由化簡(...

2023-11-27 標(biāo)簽:二極管PN結(jié)擊穿電壓 1427 0

基于碰撞電離率的平行平面結(jié)及晶閘管研究

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功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)是平行平面結(jié),結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān),本次研究的重點(diǎn)...

2023-11-27 標(biāo)簽:晶閘管擊穿電壓MATLAB仿真 3.6萬 0

PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對(duì)擊穿電壓的影響

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在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中,PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位,其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。

2023-11-24 標(biāo)簽:PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 2117 0

UIS測(cè)試是什么?雪崩能量對(duì)實(shí)際應(yīng)用的影響

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UIS:英文全稱Unclamped Inductive Switching,中文譯為非嵌位感性負(fù)載開關(guān)過程。

2023-11-24 標(biāo)簽:MOSFETUIS擊穿電壓 1.1萬 0

功率二極管噪聲特性

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根據(jù)實(shí)際電參數(shù)指標(biāo)要求,在25℃室溫情況下,當(dāng)測(cè)試電流IR=5μA時(shí),器件反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)需...

2023-07-12 標(biāo)簽:功率二極管電阻器單晶硅電池 448 0

高頻小功率晶體管設(shè)計(jì)

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產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。

2023-07-05 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓 866 0

齊納二極管的特性簡(jiǎn)介及設(shè)計(jì)案例

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齊納二極管(Zener diode)又叫穩(wěn)壓二極管,也是一種特殊用途二極管,但由于齊納二極管的是如此之重要,內(nèi)容又比較多,所以這里單獨(dú)拉出來作為一個(gè)小節(...

2023-02-07 標(biāo)簽:二極管電路穩(wěn)壓二極管 2539 0

有源鉗位吸收器電路設(shè)計(jì)與數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式

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隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大,導(dǎo)通電阻也會(huì)增大。在這樣場(chǎng)景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴,另外有源-鉗位方案優(yōu)勢(s...

2019-01-15 標(biāo)簽:MOSFET有源鉗位電流吸收器 0 0

擊穿電壓是什么_擊穿電壓的工作原理是什么

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本文開始介紹了擊穿電壓的概念和擊穿電壓的主要因素,其次闡述了擊穿電壓的工作原理以及介紹了影響介電擊穿強(qiáng)度的因素,最后介紹了電壓擊穿儀器使用時(shí)的注意事項(xiàng)。

2018-04-03 標(biāo)簽:擊穿電壓 6.2萬 0

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    是德科技公司(NYSE:KEYS)是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司,通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新,為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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