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標(biāo)簽 > 擊穿電壓
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IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(2)
下面對(duì)電場(chǎng)積分,我們看看隨著增長(zhǎng),即耗盡區(qū)深度的增長(zhǎng),柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(3)
這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對(duì)于PIN1結(jié)構(gòu),因?yàn)殛枠O和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子...
芯片的幾個(gè)重要測(cè)試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT
半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造,晶圓測(cè)試,芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。而測(cè)試環(huán)節(jié)主要集中在CP(chip probing)、F...
基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析
我們應(yīng)用簡(jiǎn)單的Fulop模型對(duì)平行平面結(jié)進(jìn)行了分析,對(duì)復(fù)雜的Chynoweth模型進(jìn)行了化簡(jiǎn),由化簡(...
PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對(duì)擊穿電壓的影響
在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中,PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位,其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。
2023-11-24 標(biāo)簽:PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 2117 0
UIS測(cè)試是什么?雪崩能量對(duì)實(shí)際應(yīng)用的影響
UIS:英文全稱Unclamped Inductive Switching,中文譯為非嵌位感性負(fù)載開關(guān)過程。
產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓 866 0
齊納二極管的特性簡(jiǎn)介及設(shè)計(jì)案例
齊納二極管(Zener diode)又叫穩(wěn)壓二極管,也是一種特殊用途二極管,但由于齊納二極管的是如此之重要,內(nèi)容又比較多,所以這里單獨(dú)拉出來作為一個(gè)小節(...
2023-02-07 標(biāo)簽:二極管電路穩(wěn)壓二極管 2539 0
有源鉗位吸收器電路設(shè)計(jì)與數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式
隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大,導(dǎo)通電阻也會(huì)增大。在這樣場(chǎng)景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴,另外有源-鉗位方案優(yōu)勢(s...
本文開始介紹了擊穿電壓的概念和擊穿電壓的主要因素,其次闡述了擊穿電壓的工作原理以及介紹了影響介電擊穿強(qiáng)度的因素,最后介紹了電壓擊穿儀器使用時(shí)的注意事項(xiàng)。
2018-04-03 標(biāo)簽:擊穿電壓 6.2萬 0
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