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擊穿電壓

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擊穿電壓技術(shù)

被保護(hù)電路的正常工作電壓高于TVS二極管的擊穿電壓會損壞TVS嗎？答案出乎意料

在電路正常工作情況下，TVS二極管應(yīng)該處于截止?fàn)顟B(tài)，即TVS的額定反向關(guān)斷電壓VRM應(yīng)大于被保護(hù)電路的最高工作電壓，但是我們有時候...

2024-12-16 標(biāo)簽：保護(hù)電路 TVS TVS二極管 1700 0

TVS二極管可以并聯(lián)使用嗎

TVS二極管的主要作用是保護(hù)電子設(shè)備免受瞬時過電壓或浪涌電壓的損害。這些瞬時過電壓通常由電氣干擾、雷擊、電氣開關(guān)操作等因素引起。TVS二極管通過其優(yō...

2024-12-05 標(biāo)簽：二極管 TVS 擊穿電壓 674 0

TVS二極管該如何正確的選用

TVS二極管是一種用于保護(hù)敏感電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓沖擊（如雷擊、靜電放電等）損壞的器件。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，TVS二極管的正確選用是確保電路...

2024-08-29 標(biāo)簽：二極管 TVS 擊穿電壓 702 0

二極管擊穿電壓是最大值還是有效值

二極管擊穿電壓是指二極管在反向偏置下，電流突然增大，導(dǎo)致二極管損壞的電壓值。最大值（Peak Value）：最大值是指在一個周期內(nèi)，電壓或電流的最大瞬...

2024-08-08 標(biāo)簽：二極管電流半導(dǎo)體材料 1460 0

氣體放電管怎樣選型

一、GDT參數(shù)選擇步驟關(guān)于GDT的選型上海雷卯EMC小哥引用“AC220V線路進(jìn)行2kV線間和4kV線對地的過電壓防護(hù)”案例來闡述GDT的選型。1.續(...

2024-08-02 標(biāo)簽：擊穿電壓氣體放電管 gdt 628 0

影響絕緣擊穿電壓的因素有哪些

絕緣擊穿電壓是衡量絕緣材料或系統(tǒng)在多高電壓下會發(fā)生破壞性放電的一個重要指標(biāo)。影響絕緣擊穿電壓的因素眾多，包括材料特性、環(huán)境條件、設(sh...

2024-06-09 標(biāo)簽：電容器擊穿電壓電場 2881 0

電容器擊穿的特征是什么

電容器擊穿是指電容器的介質(zhì)層失去絕緣能力，導(dǎo)致電流突然大幅增加的現(xiàn)象。了解電容器擊穿的特征有助于正確使用電容器，并在設(shè)計電路時采取適當(dāng)...

2024-06-09 標(biāo)簽：電容器電子元件擊穿電壓 2610 0

電容器擊穿分為哪幾類

電容器是電子電路中至關(guān)重要的組件之一，它儲存和釋放電能，用于平滑電流、濾波、耦合信號、定時等功能。然而，電容器在運(yùn)行過程中可能會遇到擊穿現(xiàn)象...

2024-06-09 標(biāo)簽：電容器電子設(shè)備擊穿電壓 2105 0

PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿的原因是什么？

PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿是一種特殊的物理現(xiàn)象，它在特定的條件下發(fā)生，允許電流在低于雪崩擊穿電壓的情況下流過PN結(jié)。

2024-05-29 標(biāo)簽：PN結(jié)擊穿電壓載流子 1482 0

CP，F(xiàn)T，WAT都是與芯片的測試有關(guān)，他們有什么區(qū)別呢？如何區(qū)分？

CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本。

2024-05-09 標(biāo)簽：晶圓芯片封裝擊穿電壓 3346 0

淺析IGBT成為熱門的技術(shù)原因及應(yīng)用

近年IGBT這個專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導(dǎo)體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè)，好像都涉及到了這個名詞。

2024-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻 IGBT 1274 0

12V系統(tǒng)車燈驅(qū)動電源口浪涌過壓防反接防護(hù)方案詳解

從圖中可知，方案針對車燈驅(qū)動電路電源輸入口的浪涌過壓防反接防護(hù)。在車載12V系統(tǒng)中，電源線上面的瞬態(tài)浪涌主要來源于拋負(fù)載。

2024-04-07 標(biāo)簽：TVS二極管驅(qū)動電路電源線 2111 0

電源設(shè)計中電容的工作原理各類電源中電容器的正確選用規(guī)則

電源往往是我們在電路設(shè)計過程中最容易忽略的環(huán)節(jié)。作為一款優(yōu)秀的設(shè)計，電源設(shè)計應(yīng)當(dāng)是很重要的，它很大程度影響...

2024-03-22 標(biāo)簽：電容器電源設(shè)計變換器 5.6萬 0

求一種1.5手機(jī)USB端口靜電浪涌保護(hù)方案

方案優(yōu)點(diǎn)：本方案采用2級防護(hù),節(jié)約空間，提供大浪涌器件前級保護(hù),適合國際市場。后級采用DFN1006-3雙路器件防靜電，滿足IEC61000-...

2024-03-18 標(biāo)簽：ESD TVS USB端口 566 0

TVS二極管規(guī)格書中的工作電壓、擊穿電壓和箝位電壓怎么靈活使用呢

在TVS二極管的規(guī)格書中，工作電壓、擊穿電壓和箝位電壓，帶回掃 TVS，低內(nèi)阻TVS，這些參數(shù)，怎么靈活使用呢?

2024-03-07 標(biāo)簽：TVS二極管擊穿電壓 2069 0

穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)和注意事項！

穩(wěn)定電壓：穩(wěn)壓二極管在電路中處于反向擊穿狀態(tài)下，輸出的電壓值稱為穩(wěn)定電壓。不同型號的穩(wěn)壓二極管具有不同的穩(wěn)定電壓值，其穩(wě...

2024-01-30 標(biāo)簽：二極管穩(wěn)壓二極管電磁干擾 2654 0

ESD器件的工作原理？CMOS I/O上的內(nèi)部ESD保護(hù)實現(xiàn)

靜電保護(hù)器件（ESD）是由一個或多個 TVS 晶粒采用不同的電路拓?fù)渲瞥删哂刑囟üδ艿亩嗦坊騿温?ESD 保護(hù)器件。

2024-02-17 標(biāo)簽：CMOS ESD保護(hù)擊穿電壓 1.0萬 0

氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤點(diǎn)

同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 MOCVD 2269 0

變壓器的絕緣—線圈絕緣介紹

變壓器絕緣結(jié)構(gòu)是變壓器中非常重要的組成部分，它能夠有效地隔離高壓和低壓部分，保證變壓器的正常運(yùn)行。

2023-12-22 標(biāo)簽：絕緣電阻擊穿電壓漏電流 3898 0

變壓器局部放電的產(chǎn)生原理和后果

局部放電是指電氣設(shè)備的內(nèi)部局部地區(qū)發(fā)生的放電現(xiàn)象，其注意在變壓器的工作中產(chǎn)生，尤其是高壓的變壓器中。

2023-12-13 標(biāo)簽：擊穿電壓局部放電變壓器 1907 0

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