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標簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。
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光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一,決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%,占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材,其質(zhì)量和性能與電...
EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì),當受到EUV光子照射時會發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,包括提高靈敏度、控制分辨率、減...
2023-09-11 標簽:顯示器car半導(dǎo)體制造 864 0
光刻膠是一種有機化合物,它受紫外線曝光后在顯影液中的溶解度發(fā)生顯著變化,而未曝光的部分在顯影液中幾乎不溶解。
2024-04-30 標簽:光刻膠 839 0
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200...
光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán),而光刻膠,又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展,對微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強,光刻膠的需求...
今年的大部分討論都集中在 EUV 的下一步發(fā)展以及高數(shù)值孔徑 EUV 的時間表和技術(shù)要求上。ASML戰(zhàn)略營銷高級總監(jiān)Michael Lercel表示,目...
隨著線條寬度的不斷縮小,為了防止膠上圖形出現(xiàn)太大的深寬比,提高對比度,應(yīng)該采用很薄的光刻膠。但薄膠會遇到耐腐蝕性的問題。由此開發(fā)出了 雙層光刻膠技術(shù),這...
微型晶體管的制造過程 1. 硅晶圓的制備 微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過程包...
2024-10-15 標簽:晶圓晶體管半導(dǎo)體制造 409 0
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