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標簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。
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半導體材料作為半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié),在芯片的生產(chǎn)制造過程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過程劃分,半導體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其...
根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所...
為什么尺寸縮小并沒按應有的速度不斷進步呢?為什么高端硅成本依然如此昂貴?答案就在于芯片設(shè)計的復雜性——如今的芯片設(shè)計層數(shù)繁多,各層之間還必須無縫連接。
2020-08-13 標簽:半導體半導體產(chǎn)業(yè)半導體制造 1740 0
最近在外延膜的導電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進展重新引起了我們對用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。
薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化,厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸(Critical Dimensions:CD)。
首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC,通過物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過1毫米 ...
光刻膠中金屬雜質(zhì)對硅基基質(zhì)的吸附機理 南通華林科納分析
應用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評估了兩個重要的工藝參數(shù),即烘烤溫度和襯底類型(...
感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量,感光速度越快,單位時間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高,經(jīng)濟效益越好,另-方面,過快的感光速度會對引起工藝...
隨著光刻膠層變得更薄,整體光刻膠的特性變得不那么重要,并且光刻膠(暴露與否)與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。
XeF2和SF6可以相互替換嗎?XeF2和SF6對硅腐蝕的區(qū)別?
我們知道含F(xiàn)的XeF2和SF6都被當做腐蝕硅的氣體,XeF2常被作為各向同性腐蝕硅的氣體,而SF6常和CF4搭配作為硅各向異性腐蝕的氣體,那么XeF2和...
2024-03-21 標簽:光刻膠 1036 0
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