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標(biāo)簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。
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光刻蝕(Photolithography)是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù),用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用,...
在紫外光照射下,三芳基碘鹽光敏劑被激活,釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應(yīng),引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應(yīng),導(dǎo)致SU-8光刻膠在...
2024-03-31 標(biāo)簽:光刻膠 4376 0
過氧化氫溶液的作用解讀 在半導(dǎo)體材料制備中硅晶片清洗
引言 過氧化氫被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅...
濕法去膠液的種類有哪些?去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?
光刻技術(shù)通過光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上,但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠,那么這個(gè)時(shí)候去膠液就發(fā)揮了作用,那么去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...
光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除,負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 標(biāo)簽:光刻膠半導(dǎo)體工藝 3092 0
制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500)潔凈室,在光刻區(qū)域,潔凈室要求10級或更高。
黃光的波長遠(yuǎn)離UV范圍,因此不會(huì)引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線,從而保護(hù)光敏材料免受不必要的曝光。
與正光刻膠相比,電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?;诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠則保留...
本篇文章將探討用于晶圓級封裝(WLP)的各項(xiàng)材料,從光刻膠中的樹脂,到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合劑,這些材料均在晶圓級封裝中發(fā)揮著重要作用。
2023-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝封裝工藝光刻膠 2470 0
改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜,在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來,不再進(jìn)行濕法刻蝕,避免了側(cè)腐蝕對線條精度和膜基結(jié)合力的...
對于先通孔的過程,首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(zhì)(ILD)、低k電介質(zhì)、溝槽ESL、低k電介質(zhì)的和覆蓋層(下圖(a))。
2023-08-14 標(biāo)簽:CMP光刻膠ICT技術(shù) 2055 0
芯板,中間是介質(zhì),兩面是銅箔,就是雙層板時(shí)用的介質(zhì)板,比如ROGERS 4350B等。
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