光刻膠

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光刻膠（Photoresist）又稱(chēng)光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。

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光刻膠技術(shù)

詳解光刻膠技術(shù)并闡述光刻膠產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和國(guó)內(nèi)發(fā)展趨勢(shì)

光刻膠是電子領(lǐng)域微細(xì)圖形加工關(guān)鍵材料之一，是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下...

2019-02-19 標(biāo)簽：芯片光刻膠 4.0萬(wàn) 0

光刻膠材料的制備和基本要素

光刻膠是指通過(guò)紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：半導(dǎo)體領(lǐng)域的集成電路和...

2019-02-11 標(biāo)簽：euv 光刻膠 2.6萬(wàn) 1

光刻膠的原理和正負(fù)光刻膠的主要組分是什么

光刻膠的組成：樹(shù)脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑...

2022-10-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻膠 2.1萬(wàn) 2

浸沒(méi)式光刻原理淺析

到2002年底浸入式技術(shù)迅速成為光刻技術(shù)中的新寵，而此前業(yè)界并沒(méi)有認(rèn)為浸入式技術(shù)有如此大的功效。

2019-08-08 標(biāo)簽：EUV 光刻膠 2.0萬(wàn) 0

***誰(shuí)發(fā)明出來(lái)的 ***有多難制造

光刻機(jī)的制造是一項(xiàng)復(fù)雜而精密的工藝，需要高度專(zhuān)業(yè)化的技術(shù)和設(shè)備。它涉及到許多關(guān)鍵的工藝步驟和組件，如光學(xué)系統(tǒng)、曝光光源、掩模制作等。

2023-07-04 標(biāo)簽：集成電路光學(xué)系統(tǒng)光刻機(jī) 1.4萬(wàn) 0

極紫外（EUV）光刻新挑戰(zhàn) 光刻膠只是其一

光刻膠是用來(lái)制作圖案的光敏聚合物，它是造成隨機(jī)性效應(yīng)的罪魁禍?zhǔn)字?。根?jù)定義，隨機(jī)效應(yīng)描述了具有光量子隨機(jī)變化的事件。它們是不可預(yù)測(cè)的，沒(méi)有穩(wěn)定的模式。

2018-03-27 標(biāo)簽：euv 光刻膠 1.1萬(wàn) 0

一文解析對(duì)準(zhǔn)光刻蝕刻光刻的基本知識(shí)（SALELE）

通過(guò)逐步的說(shuō)明，本系列說(shuō)明并向您展示了確保在當(dāng)今最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)中確保布局保真度所需的自對(duì)準(zhǔn)模式創(chuàng)建的復(fù)雜性。第1部分介紹了SADP和SAQP。在本期的最后...

2021-04-11 標(biāo)簽：PTD 光刻膠 1.1萬(wàn) 0

一文看懂：光刻膠的創(chuàng)新應(yīng)用與國(guó)產(chǎn)替代機(jī)會(huì)

引言 ? 光刻膠又稱(chēng)“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。光刻膠是光刻工藝最重要的...

2022-04-25 標(biāo)簽：電子元器件半導(dǎo)體光刻膠 1.1萬(wàn) 0

蝕刻后殘留物和光刻膠的去除方法

在未來(lái)幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴(kuò)展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路...

2022-07-04 標(biāo)簽：蝕刻晶片光刻膠 9596 0

制造集成電路的版圖基本知識(shí)

在光刻膠工藝過(guò)程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來(lái)，該涂層材料為正性光刻膠。

2023-06-25 標(biāo)簽：集成電路 CMOS MOSFET 9184 0

芯片的制作為什么要用半導(dǎo)體？Wafer晶圓半導(dǎo)體制造工藝

所謂“半導(dǎo)體”，是一種導(dǎo)電性能介于“導(dǎo)體”和“絕緣體”之間的物質(zhì)總稱(chēng)。導(dǎo)體能導(dǎo)電，比如鐵銅銀等金屬，絕緣體不導(dǎo)電，比如橡膠。芯片的制作為什么要用半導(dǎo)體？

2023-05-15 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造光刻膠 8499 0

SPM光刻膠剝離和清洗工藝詳解

硫酸(H2SO4)和過(guò)氧化氫(H2O2)混合物(SPM)用于各種濕法清洗工藝步驟。表2.1顯示了SPM的一些常見(jiàn)清潔和表面處理順序:

2022-07-11 標(biāo)簽：清洗光刻膠 SPM 8250 0

重點(diǎn)闡述濕法刻蝕

光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。

2023-06-08 標(biāo)簽：集成電路邏輯電路晶圓 6513 0

干法刻蝕工藝介紹硅的深溝槽干法刻蝕工藝方法

第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體

2023-07-14 標(biāo)簽：TCP SSP 電感耦合 6175 0

極紫外（EUV）光刻新挑戰(zhàn)，除了光刻膠還有啥？

隨機(jī)變化需要新方法、新工具，以及不同公司之間的合作。極紫外（EUV）光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn)，但是隨機(jī)性變化又稱(chēng)為隨機(jī)效應(yīng)正在重新浮出水面，并為這項(xiàng)期待已...

2018-03-31 標(biāo)簽：光刻膠 6028 0

關(guān)于PCB通孔及尺寸要求

合包與分包（pack and unpack，PAU）工藝被用于制備通孔陣列。與其他雙重曝光工藝不同，PAU工藝并不直接提供額外的圖形分辨率。

2022-10-24 標(biāo)簽：pcb 光刻膠 5765 0

全面解讀光刻膠工藝制造流程

光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場(chǎng)景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，...

2023-05-11 標(biāo)簽：集成電路三極管印刷電路板 5745 0

光刻技術(shù)的詳細(xì)工序

清洗硅片（Wafer Clean）清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性基本步驟：化學(xué)清洗——漂洗——烘干。

2023-04-25 標(biāo)簽：硅片光刻機(jī)光刻膠 5642 0

光刻膠和光刻機(jī)的區(qū)別

光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。

2024-03-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體器件光刻機(jī) 4891 0

半導(dǎo)體制造中的等離子體刻蝕過(guò)程

從下圖中可以看出結(jié)合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高，明顯高于這兩種工藝單獨(dú)使用時(shí)的刻蝕速率總和。

2023-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻膠 4774 0

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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě)，中文翻譯為“車(chē)載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。

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