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標(biāo)簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。
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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging, WLP)作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù),正逐漸在集成電路封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位...
刻蝕工藝評(píng)價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝
在本篇文章中,我們主要介紹刻蝕工藝評(píng)價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝。 一、刻蝕工藝質(zhì)量評(píng)價(jià) 1)刻蝕速率 刻蝕速率是指在蝕刻過程中被去...
一文解讀光刻膠的原理、應(yīng)用及市場(chǎng)前景展望
光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán),而光刻膠,又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展,對(duì)微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng),光刻膠的需求...
隨著線條寬度的不斷縮小,為了防止膠上圖形出現(xiàn)太大的深寬比,提高對(duì)比度,應(yīng)該采用很薄的光刻膠。但薄膠會(huì)遇到耐腐蝕性的問題。由此開發(fā)出了 雙層光刻膠技術(shù),這...
微型晶體管的制造過程 1. 硅晶圓的制備 微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過程包...
2024-10-15 標(biāo)簽:晶圓晶體管半導(dǎo)體制造 361 0
光刻膠是一種有機(jī)化合物,它受紫外線曝光后在顯影液中的溶解度發(fā)生顯著變化,而未曝光的部分在顯影液中幾乎不溶解。
2024-04-30 標(biāo)簽:光刻膠 813 0
光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除,負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 標(biāo)簽:光刻膠半導(dǎo)體工藝 3037 0
請(qǐng)問3D NAND如何進(jìn)行臺(tái)階刻蝕呢?
在3D NAND的制造過程中,一般會(huì)有3個(gè)工序會(huì)用到干法蝕刻,即:臺(tái)階蝕刻,channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。
在紫外光照射下,三芳基碘鹽光敏劑被激活,釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應(yīng),引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應(yīng),導(dǎo)致SU-8光刻膠在...
2024-03-31 標(biāo)簽:光刻膠 4299 0
XeF2和SF6可以相互替換嗎?XeF2和SF6對(duì)硅腐蝕的區(qū)別?
我們知道含F(xiàn)的XeF2和SF6都被當(dāng)做腐蝕硅的氣體,XeF2常被作為各向同性腐蝕硅的氣體,而SF6常和CF4搭配作為硅各向異性腐蝕的氣體,那么XeF2和...
2024-03-21 標(biāo)簽:光刻膠 1032 0
制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(jí)(空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500)潔凈室,在光刻區(qū)域,潔凈室要求10級(jí)或更高。
與正光刻膠相比,電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?;诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠則保留...
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