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體二極管

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體二極管技術(shù)

所有的MOSFET都有體二極管嗎？它有什么作用呢？硬件工程師要搞懂的電路知識(shí)點(diǎn)

Part 01 前言與三極管等其他的有源器件相比，MOSFET的不同尋常之處在于其原理圖符號(hào)會(huì)包含一個(gè)寄生器件——體二極管。那么是不是所有的MOSFE...

2024-12-07 標(biāo)簽：電路 MOSFET 體二極管 1893 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)分指南

JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半...

2024-05-08 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 并聯(lián)電容 1.1萬 0

PMOS基反接防護(hù)電路設(shè)計(jì)詳解

將PMOS的G極接電阻到地（GND），當(dāng)輸入端連接正向電壓時(shí)，電流流過PMOS的體二極管到負(fù)載端。

2024-04-30 標(biāo)簽：保護(hù)電路 PMOS 體二極管 1896 0

Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析

Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加...

2024-04-02 標(biāo)簽：MOSFET 電壓控制體二極管 1507 0

什么是電平轉(zhuǎn)換？電平轉(zhuǎn)換電路舉例

比如兩個(gè)芯片之間的供電電壓不一樣，一個(gè)是5V，另一個(gè)是3.3V，那么在兩者之間進(jìn)行通訊建立連接關(guān)系時(shí)，就需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。

2024-03-28 標(biāo)簽：CMOS 上拉電阻 TTL 2647 0

功率MOSFET的UIS(UIL)特性深度解析

選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括：選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測(cè)試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn)，或者出于營(yíng)銷或客戶目的...

2024-02-27 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管體二極管 1727 0

功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極...

2024-02-23 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管功率MOSFET 1044 0

MOS管體二極管是什么？MOS管體二極管的作用

體二極管是MOS管中的一個(gè)重要組成部分，它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了，因此出現(xiàn)了SD之間的體二極管。今天我們簡(jiǎn)單來講下關(guān)于體二...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管電源電壓 5554 0

MOS管為什么很容易失效？MOS管有哪些失效？

在電子元件中，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）是獨(dú)特且重要，然而相比其他元件，MOS管很容易失效，導(dǎo)致電路無法正常運(yùn)行，因此工程師必須查找原因...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管靜電放電 1096 0

MOS管導(dǎo)通電流能否反著流？

以NMOS為例，如上圖，S和D都是摻雜濃度比較高的N型半導(dǎo)體，襯底為P型半導(dǎo)體，并且襯底和S極是接到一起的。在Vgs電壓大于門限電壓Vth時(shí)，也就是柵...

2023-12-27 標(biāo)簽：電流 MOS管 NMOS 2851 0

支持多種工作模式的同步整流芯片U7116介紹

同步整流芯片U7116是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān)，可以在 GaN 系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。

2023-12-14 標(biāo)簽：變壓器 DCM 體二極管 1320 0

MOSFET為什么有“體二極管”

2023-12-14 標(biāo)簽：MOSFET 體二極管同步控制器 1784 0

帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓?fù)浜虵REDFET來提高效率

2023-12-08 標(biāo)簽：MOSFET LLC 體二極管 714 0

關(guān)于LLC短路測(cè)試的解決方法

短路測(cè)試作為電源開發(fā)的必經(jīng)之路，正在看此文的開發(fā)工程師們是不是最怕“吃雞”?

2023-11-18 標(biāo)簽：控制器 LLC 開關(guān)管 2796 0

MOSFET器件手冊(cè)關(guān)鍵參數(shù)解讀

我一直認(rèn)為，對(duì)于電子工程師來講，最好的學(xué)習(xí)資料就是芯片或者電子器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)，可能一開始讀起來會(huì)很吃力，但只要你能堅(jiān)持住，并且本著一種不懂就問，不會(huì)就查...

2023-11-08 標(biāo)簽：原理圖 MOSFET MOS管 1825 0

ARK(方舟微)的MOSFET產(chǎn)品簡(jiǎn)介和常見問題解答

ARK（方舟微）研發(fā)銷售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主（包括具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓（UltraVt?）耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品...

2023-11-07 標(biāo)簽：ESD MOSFET JFET 928 0

耗盡型MOSFET實(shí)現(xiàn)雙向過流、過壓保護(hù)的應(yīng)用電路

該電路實(shí)現(xiàn)過流、過壓保護(hù)的主要原理與圖2 電路基本一致。不過當(dāng)電路觸發(fā)過流、過壓保護(hù)功能時(shí)，僅是電流方向?yàn)镈→S的MOSFET實(shí)現(xiàn)保護(hù)作用。對(duì)于另外一...

2023-11-07 標(biāo)簽：MOSFET 應(yīng)用電路過壓保護(hù) 1964 0

有源鉗位反激工作過程簡(jiǎn)析（2）

之前提到了CCM和CRM 的有源鉗位反激(ACF)，因?yàn)榉醇ぶ饕迷谛」β蕡?chǎng)合以及CCM反激的一些缺點(diǎn)，CRM的ACF應(yīng)用更廣。

2023-10-29 標(biāo)簽：CRM ZVS 電壓采樣 3352 0

LLC變換器拓?fù)渑c特點(diǎn)簡(jiǎn)析

以半橋LLC諧振變換器為例，主開關(guān)Q1、Q2構(gòu)成半橋結(jié)構(gòu)，其驅(qū)動(dòng)信號(hào)為固定占空比50%的互補(bǔ)信號(hào)，并且在上下橋臂之間應(yīng)有死區(qū)時(shí)間。

2023-10-20 標(biāo)簽：輸出電壓體二極管 LLC諧振變換器 3601 0

常用的雙電源自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)

電壓從U1的D極經(jīng)過MOS管的體二極管到達(dá)S極，S≈3.6V（假設(shè)體二極管壓降為0.2V），因?yàn)閂IN_5V沒有，所以G=0V，Ugs=-3.6V，MO...

2023-10-10 標(biāo)簽：二極管 MOS管電子設(shè)計(jì) 2815 0

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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過零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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