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標(biāo)簽 > 三星
作為全球知名的公司,三星電子在2005 年宣布了“三星五大經(jīng)營原則”,展現(xiàn)了其對企業(yè)社會責(zé)任的承諾。這些原則也是三星電子遵守法律與道德準(zhǔn)則、履行企業(yè)社會責(zé)任和全球行為準(zhǔn)則的基礎(chǔ)。
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7月13日,韓國大法院2部(主審閔有淑大法官)對因涉嫌違反不正當(dāng)競爭及營業(yè)秘密保護(hù)相關(guān)法律(泄露營業(yè)秘密等)而被起訴的TOPTECH前代表判處有期徒刑3年。
三星顯示開發(fā)可用于AR設(shè)備的LEDoS(硅上LED)技術(shù)
OLEDoS在滿足為AR設(shè)備實現(xiàn)微顯示器所需的亮度、外形尺寸和產(chǎn)品壽命條件方面存在局限性。我們的目標(biāo)是確保特性的同時使LED非常小,以確保更高的分辨率和...
三星將投資1萬億韓元擴大HBM產(chǎn)能,以滿足英偉達(dá)和AMD需求
三星計劃在天安工廠安裝該設(shè)備,增加hbm的出貨量。天安工廠是三星半導(dǎo)體后端工程生產(chǎn)基地。考慮到hbm是垂直連接多個dram而成的形態(tài),三星為增加出貨量,...
三星和蘋果要在智能戒指市場上展開競爭了!蘋果最近申請了一項皮膚接觸檢測系統(tǒng)專利,被認(rèn)為將用于智能戒指。而三星也在7月份提交了Galaxy Circle商...
三星啟動氮化鎵功率半導(dǎo)體代工 三星電子近期業(yè)績壓力很大,市場疲軟、存儲芯片價格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤暴跌,根據(jù)三星電子公布的2023...
今日看點丨欲挑戰(zhàn)蘋果 Vision Pro,消息稱三星 XR 頭顯推遲長達(dá) 3-6 個月;全球5G專利排名:華為第一 小米進(jìn)入
1. 欲挑戰(zhàn)蘋果 Vision Pro ,消息稱三星 XR 頭顯推遲長達(dá) 3-6 個月 ? 據(jù)韓媒報道,三星原本計劃在 2024 年 2 月推出一款新的...
據(jù)路透社報道,Refinitiv SmartEstimate對27位分析師進(jìn)行的一項調(diào)查顯示,這家全球最大的內(nèi)存芯片、智能手機和電視制造商今年第二季度的...
三星Q2利潤恐暴跌96% 因為市場需求大幅下降,有分析師預(yù)測三星電子2023年Q2利潤將大幅下滑,三星Q2利潤恐暴跌96%。金額降至4.27億美元;4....
以技術(shù)創(chuàng)新賦能屏顯產(chǎn)品,三星首款5K高分辨率顯示器ViewFinity S9新品上市
近日,三星首款5K超高分辨率顯示器ViewFinity S9(S90PC)在三星商城、三星顯示器京東自營旗艦店、天貓旗艦店開啟預(yù)售。該產(chǎn)品憑借精準(zhǔn)的色彩...
三星DRAM月產(chǎn)量降至兩年來新低 行業(yè)頻現(xiàn)庫存改善信號
但這并不是全部,報道稱三星內(nèi)部計劃將減產(chǎn)持續(xù)至明年,在半導(dǎo)體市場重回供需平衡之前,公司將避免擴產(chǎn)存儲芯片。Omdia預(yù)計,明年下半年三星的DRAM月產(chǎn)量...
三星最早年內(nèi)停產(chǎn)手機用剛性O(shè)LED
三星顯示位于忠清南道牙山市的A2 生產(chǎn)線的剛性 OLED 產(chǎn)量正在迅速下降。這是因為中國OLED面板企業(yè)正在柔性O(shè)LED領(lǐng)域發(fā)起高性價比的攻勢。中國面板...
2023-07-06 標(biāo)簽:OLED柔性O(shè)LED三星 582 0
UBI Research代表李忠勛于7月5日在首爾汝矣島舉行的“OLED&Micro Display分析師研討會”上表示:“三星Display開...
據(jù)悉,nvidia為應(yīng)對ai用gpu需求的劇增,有可能為減少供給不足的危險,與三星進(jìn)行合作。三星期待,如果3nm試制品通過性能驗證,2.5d的尖端配套技...
LCD面板大周期反轉(zhuǎn) 三星采購LCD面板比重達(dá)60%
近年來,三星和LG加速退出市場,導(dǎo)致LCD面板產(chǎn)能進(jìn)一步向中國大陸廠商集中。中國大陸的頂尖面板廠商逐漸獲得了LCD面板產(chǎn)能主導(dǎo)權(quán)和行業(yè)定價權(quán)。
背面實施流程已通過成功的 SF2 測試芯片流片得到驗證。這是 2nm 設(shè)計的一項關(guān)鍵功能,但可能會受到三星、英特爾和臺積電缺乏布線的限制,而是在晶圓背面...
三星:2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
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