數(shù)字示波器的設(shè)置介紹并利用計算功能分析熱插拔電路

　　數(shù)字示波器的計算功能是數(shù)字示波器最有趣的功能之一，可以簡化和擴展對熱插拔與負載切換電路的分析。巧用示波器的計算功能可以得出負載電容或MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷時的瞬時功耗，這些參數(shù)對于設(shè)計和分析熱插拔與負載切換電路非常有意義，如果沒有示波器計算功能，這類參數(shù)只能做近似估計。

　　本篇應(yīng)用筆記介紹如何利用示波器檢測熱插拔電路MOSFET功耗和負載電容的精確值。

　　設(shè)置示波器

　　簡化起見，我們用圖1所示的MAX5976熱插拔電路來做演示，其內(nèi)置的檢流功能和帶驅(qū)動的MOSFET構(gòu)成了一個完整的電源切換電路（下面的測試方法同樣適用于由分立元件搭的熱插拔控制電路）。按圖1所示方式將示波器探頭連至熱插拔電路，示波器即可獲取計算所需信號，兩個電壓探頭分別接輸入和輸出，用于檢測MOSFET兩端壓降，電流探頭用來檢測流過MOSFET的電流。

　　圖1. 示波器探頭連至MAX5976或MAX5978熱插拔電路，示波器則利用測試結(jié)果進行計算

　　這個基本連接方式同樣適用于非集成的熱插拔電路。測試輸入和輸出電壓的探頭分別接到MOSFET的前面和后面（MAX5976的MOSFET在內(nèi)部，MAX5978則是外置MOSFET），電流探頭要與電路檢流電阻串聯(lián)。為了測到流經(jīng)開關(guān)元件的精確電流值，電流探頭應(yīng)該放在輸入電容后，輸出電容前的位置。

　　MOSFET功耗

　　開關(guān)器件（通常是n溝道MOSFET）的功耗等于漏極/源極電壓差（VDS）與漏極電流（ID）的乘積。圖1中，VDS是通道2和通道1的差，ID是電流探頭直接測量的結(jié)果。我們用的示波器（Tektronix? DPO3034）有一個專門的計算通道，可以通過如下（圖2）菜單配置。

　　圖2. DPO3034數(shù)字示波器的高級計算菜單可以直接編輯計算公式