一種適用于PVT法生長SiC晶體系統(tǒng)的測(cè)溫結(jié)構(gòu)詳細(xì)介紹

　　本實(shí)用新型公開一種適用于 PVT 法生長 SiC 晶體系統(tǒng)的測(cè)溫結(jié)構(gòu)，所述系統(tǒng)具有用坩堝圍成的晶體生長用晶體生長室，配置于生長室室內(nèi)頂部的籽晶托，和在所述晶體生長室外圍的保溫層 ；所述的測(cè)溫結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于生長室頂部的籽晶托上方的保溫層上并能夠通過其利用高溫紅外測(cè)溫計(jì)測(cè)量晶體生長室內(nèi)溫度的開孔 ；以及插通所述開孔形成于籽晶托上的測(cè)溫管。本實(shí)用新型的測(cè)溫結(jié)構(gòu)可以在晶體生長過程中準(zhǔn)確測(cè)量坩堝頂部溫度，從而實(shí)現(xiàn)精確控溫，并且避免測(cè)溫孔堵塞導(dǎo)致的溫度梯度變化，提高晶體生長的成品率。

　　1. 一種適用于 PVT 法生長 SiC 晶體系統(tǒng)的測(cè)溫結(jié)構(gòu)，所述系統(tǒng)具有用坩堝圍成的晶體生長用晶體生長室，配置于生長室室內(nèi)頂部的籽晶托，和在所述晶體生長室外圍的保溫層 ；其特征在于，所述測(cè)溫結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于生長室頂部的籽晶托上方的保溫層上并能夠通過其利用高溫紅外測(cè)溫計(jì)測(cè)量晶體生長室內(nèi)溫度的開孔 ；以及插通所述開孔固定于籽晶托上的測(cè)溫管。 2. 根據(jù)權(quán)利要求 1 所述的測(cè)溫結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)溫管由不低于 2500℃的耐高溫材料制成。 3. 根據(jù)權(quán)利要求 2 所述的測(cè)溫結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述耐高溫材料為石墨材料或鉭。 4. 根據(jù)權(quán)利要求 1 所述的測(cè)溫結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)溫管高于保溫層或與保溫層頂部齊平。 5. 根據(jù)權(quán)利要求 1 所述的測(cè)溫結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)溫管內(nèi)徑為 5mm-30mm，測(cè)溫管壁厚為 1mm-15mm。 6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的測(cè)溫結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)溫管插入并固定在籽晶托上方設(shè)置的有底中心孔內(nèi)。 7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的測(cè)溫結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)溫管套接并固定在籽晶托上方設(shè)置的凸臺(tái)上。 8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的測(cè)溫結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)溫管與籽晶托一體地成型為一個(gè)整體。