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      測(cè)量學(xué)和缺陷檢測(cè)

      2010-08-29 | rar | 1180 | 次下載 | 3積分

      資料介紹

      　　從硅片制造的最初階段就開(kāi)始進(jìn)行檢查。半導(dǎo)體生產(chǎn)的熟練工人在簡(jiǎn)單觀察硅片表面的氧化物薄膜后就能預(yù)測(cè)相應(yīng)的薄膜厚度。無(wú)論氧化薄膜出現(xiàn)何種色澤，都可以與比色表對(duì)比，比色表時(shí)由每種色澤相結(jié)合的不同膜厚的一片片硅片組成的。

      　　硅片工藝流程的檢查技術(shù)經(jīng)歷了重大的改變。特征尺寸不斷縮小，現(xiàn)在縮小到0.25um以下。同時(shí)，在硅片上的芯片密度不斷增加。每一步都決定著成功還是失敗的關(guān)鍵問(wèn)題：沾污、結(jié)深、薄膜的質(zhì)量等。另外，新材料和工藝的引入都會(huì)帶來(lái)芯片失效的新問(wèn)題。測(cè)量對(duì)于描繪硅片的特性與檢查其成品率非常關(guān)鍵。

      　　為了維持良好的工藝生產(chǎn)能力并提高器件的特性，硅片制造廠已提高了對(duì)工藝參數(shù)的控制，并減少了在制造中缺陷的來(lái)源。

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