資料介紹
場(chǎng)板是高壓LDMOS中普遍使用的一種結(jié)終端技術(shù),對(duì)單階梯LDMOS場(chǎng)板的長(zhǎng)度、其下方氧化 厚度以及場(chǎng)氧侵蝕厚度等參數(shù)進(jìn)行了模擬和分析, 在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一種新型體硅雙階梯場(chǎng)板LDMOS,并對(duì)其具體參數(shù)進(jìn)行了細(xì)致的模擬和分析。模擬結(jié)果表明, 雙階梯場(chǎng)板LDMOS的擊穿電壓比單階梯場(chǎng)板LDMOS提高了l 5.3%,導(dǎo)通電阻降低了l 7.1% ,電流驅(qū)動(dòng)能力也提高了8.5% 。
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