MOS管的驅動電流應該如何計算

　　在圖93（a）中，類似于雙極型晶體管， MOSFET管漏極電流特性也有一個拐點。當V超過拐點電壓值，漏源極間電壓在一個較大范圍內(nèi)變化時，漏極電流保持不變，它的值取決于柵源極間電壓。拐點前方，不同柵源極間電壓值的l-V曲線斜率都漸近地收斂于一個常數(shù)，這個漸近斜率（dvdn）稱為rd從圖9.3（a）可以看出，10ⅴ的柵源極間電壓足夠使漏源極間導通壓降下降到以r為斜率的負載線與l1-V曲線的交叉處（P1點）。此后，增加柵源極間電壓，導通壓降V的下降不明顯，除非工作電流接近最大額定電流，這時l-V曲線會偏離斜率r而彎曲。對于雙極型晶體管來說，集射極間的導通電壓在集電極電流較大的變化范圍內(nèi)都保持為0.3~0.5V。而 MOSFET管的漏極導通壓降等于Jr。一般來說，因為ra與最大額定電流ld成反比，為了得到大約1V的V導通壓降，應選擇最大額定電流約為3l到5的MOSFET管。圖9.3（a）為MTM7N45型管（7A、450V，r=0.89）的輸出特性曲線。柵源極間電壓為10V，且l4=7A時由圖讀出V為7V。這樣，導通期間將產(chǎn)生過高損耗（49W），這是不能接受的。圖93（c）和圖93（d）分別是MTM15N4型管（15A400V，rd=0.492）的輸出特性曲線和轉移特性曲線。當V=10V且l4=7A時，它的V僅為2.5V通常保持雙極型晶體管導通壓降V為IV甚至更小以獲得較低功耗。雙極型晶體管的總損耗由重疊損耗和交流開關損耗組成，導通損耗（lV）只占總損耗的1/3~1/2。而MOSFET管可以在Vd為2~3V的條件下工作，且漏極電流關斷時間很短，這樣下降電流和上升電壓重疊造成的損耗可以忽略。所以導通損耗lV（t/T）占總損耗的大部分。