Nexperia功率MOS場效應(yīng)晶體管的詳細(xì)應(yīng)用手冊(cè)資料免費(fèi)下載

　　鑒于20多年的經(jīng)驗(yàn)，功率MOSFET應(yīng)用手冊(cè)匯集了一套關(guān)于功率MOSFET實(shí)際應(yīng)用的學(xué)習(xí)和參考資料。MOSFETs應(yīng)用在很多領(lǐng)域，從汽車工業(yè)到計(jì)算機(jī)，移動(dòng)設(shè)備和電力供給等，所有這些都影響了本手冊(cè)的編寫。

　　本書是針對(duì)于任何行業(yè)中對(duì)MOSFET感興趣或是想提高功率MOSFET設(shè)計(jì)理解的工程師們。本參考指南中所分享的知識(shí)是在許多不同公司的工程師解決實(shí)際問題中收集和總結(jié)而來的。雖然MOSFET技術(shù)在過去的幾十年內(nèi)有了顯著的進(jìn)步，但設(shè)計(jì)者仍然會(huì)面對(duì)很多挑戰(zhàn)。這本書的目的是對(duì)功率MOSFET的復(fù)雜行為和有時(shí)困惑的地方提供一些啟示，也向工程師提供一些必要信息來解決常見問題以及避免潛在問題發(fā)生。

　　認(rèn)識(shí)理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的參數(shù)

　　功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩強(qiáng)度限值

　　RC 熱阻模型的使用

　　基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)計(jì) — 第一部分

　　基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)計(jì) — 第二部分

　　功率 MOSFET 的并聯(lián)使用

　　RC 緩沖電路的設(shè)計(jì)

　　功率 MOSFET 電氣過應(yīng)力的失效特征

　　縮略語

　　功率 MOSFET 的一些常見問題

　　索引

　　法律信息

　　本章解釋了NEXPERIA半導(dǎo)體功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的參數(shù)和圖表。目的是幫助工程師來決定哪一個(gè)器件對(duì)特定應(yīng)用是最適合的。

　　所列參數(shù)中的測試條件是需要重點(diǎn)關(guān)注的，因?yàn)椴煌?yīng)商會(huì)有不同的測試條件。這些特定的測試條件會(huì)影響參數(shù)數(shù)值，這就讓在不同的供應(yīng)商之間選擇器件變得困難。在整個(gè)章節(jié)中，我們都以BUK7Y12-55B的數(shù)據(jù)手冊(cè)作為例子。BUK7Y12-55B是一個(gè)汽車等級(jí)的器件，SOT669 （LFPAK56）封裝，55 V耐壓。BUK7Y12-55B數(shù)據(jù)手冊(cè)的布局代表了NEXPERIA功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的通用布局。

　　在一些特定應(yīng)用中使用的功率MOSFET，要注意一些要點(diǎn)，如在開關(guān)損失顯著的應(yīng)用中減小了開關(guān)電荷，而在導(dǎo)通損失顯著的應(yīng)用中導(dǎo)通阻抗應(yīng)做到最小。