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基于積累型MOS 變?nèi)莨艿?a href='http://wenjunhu.com/v/tag/105/' target='_blank' class='arckwlink_none'>射頻壓控振蕩器設(shè)計(jì)
作者：電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院 易新敏 王向展 楊謨?nèi)A
關(guān)鍵詞：射頻，CMOS，MOS 變?nèi)莨?，壓控振蕩?BR>摘要：本文基于0.35μm 工藝，考慮低壓和低功耗，設(shè)計(jì)了一個(gè)工作頻率為4.2GHz 的VCO，并在該電路中分別采用積累型MOS 電容和反型MOS 電容進(jìn)行調(diào)諧。
引言
隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實(shí)現(xiàn)RF CMOS 集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過(guò)去的VCO 電路大多采用反向偏壓的變?nèi)?a target='_blank' class='arckwlink_none'>二極管作為壓控器件，然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來(lái)代替一般的變?nèi)荻O管，MOS 變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。
作者：電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院 易新敏 王向展 楊謨?nèi)A
關(guān)鍵詞：射頻，CMOS，MOS 變?nèi)莨?，壓控振蕩?BR>摘要：本文基于0.35μm 工藝，考慮低壓和低功耗，設(shè)計(jì)了一個(gè)工作頻率為4.2GHz 的VCO，并在該電路中分別采用積累型MOS 電容和反型MOS 電容進(jìn)行調(diào)諧。
引言
隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實(shí)現(xiàn)RF CMOS 集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過(guò)去的VCO 電路大多采用反向偏壓的變?nèi)?a target='_blank' class='arckwlink_none'>二極管作為壓控器件，然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來(lái)代替一般的變?nèi)荻O管，MOS 變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。
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