資料介紹
電力電子技術(shù)是高等院校電類和機(jī)類專業(yè)的一門非常重要的專業(yè)基礎(chǔ)課。但學(xué)生在學(xué)習(xí)本課程的過(guò)程中,普遍反映該課程的練習(xí)題求解較困難。因此編此學(xué)習(xí)指導(dǎo),以幫助學(xué)生牢固掌握基礎(chǔ)知識(shí),同時(shí)提高分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。
本指導(dǎo)是與該課程教材配套的,共六個(gè)課題,包括調(diào)光燈、直流調(diào)速裝置、電風(fēng)扇無(wú)級(jí)調(diào)速器、開(kāi)關(guān)電源、中頻感應(yīng)加熱電源、變頻器。每課題又由六部分組成:
1.本課題學(xué)習(xí)目標(biāo)與要求——對(duì)學(xué)生學(xué)習(xí)本課題所提出的要求,哪些知識(shí)要理解或掌握、哪些能分析計(jì)算、哪些會(huì)正確應(yīng)用、哪些是一般了解,讓學(xué)生在學(xué)習(xí)時(shí)能有的放矢。
2.主要概念提示及難點(diǎn)釋疑——概括本章的主要概念、難點(diǎn)問(wèn)題的解決、突出重點(diǎn),便于學(xué)生了解和掌握本課題主要內(nèi)容,幫助學(xué)生解釋難點(diǎn)。
3.學(xué)習(xí)方法——是對(duì)學(xué)生學(xué)習(xí)提出的學(xué)習(xí)意見(jiàn)。
4.典型題解析——通過(guò)對(duì)本課題典型立體的分析、計(jì)算,給學(xué)生以結(jié)題的啟示,引導(dǎo)和擴(kuò)展解題的思路,培養(yǎng)和提高學(xué)生分析和解決問(wèn)題的能力。
5.自我檢測(cè)題——鞏固重點(diǎn)內(nèi)容,突破疑難問(wèn)題,加深對(duì)基本概念、基本電路的理解,有利于學(xué)生從中歸納總結(jié)分析和計(jì)算的思路、方法以及規(guī)律。
6.自我檢測(cè)題答案——給出答案,有利學(xué)生自學(xué)、自練和自查,提高對(duì)課程基本內(nèi)容的掌握程度。
1﹒使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?
2﹒維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?
3﹒圖1中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值Id1﹑Id2﹑Id3與電流有效值I1﹑I2﹑I3.
4﹒上題中如果不考慮安全裕量,問(wèn)100A的晶閘管能送出的平均電流Id1﹑Id2﹑Id3各為多少?這時(shí),相應(yīng)的電流最大值Im1﹑Im2﹑Im3各為多少?
5﹒GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu),為什么GTO能夠自關(guān)斷,而普通晶閘管不能?
6﹒如何防止電力MOSFET因靜電感應(yīng)引起的損壞?
7﹒IGBT﹑GTR﹑GTO和電力MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路各有什么特點(diǎn)?
8﹒全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么?試分析RCD緩沖電路中各元件的作用。
9﹒試說(shuō)明IGBT﹑GTR﹑GTO和電力MOSFET各自的優(yōu)缺點(diǎn)
本指導(dǎo)是與該課程教材配套的,共六個(gè)課題,包括調(diào)光燈、直流調(diào)速裝置、電風(fēng)扇無(wú)級(jí)調(diào)速器、開(kāi)關(guān)電源、中頻感應(yīng)加熱電源、變頻器。每課題又由六部分組成:
1.本課題學(xué)習(xí)目標(biāo)與要求——對(duì)學(xué)生學(xué)習(xí)本課題所提出的要求,哪些知識(shí)要理解或掌握、哪些能分析計(jì)算、哪些會(huì)正確應(yīng)用、哪些是一般了解,讓學(xué)生在學(xué)習(xí)時(shí)能有的放矢。
2.主要概念提示及難點(diǎn)釋疑——概括本章的主要概念、難點(diǎn)問(wèn)題的解決、突出重點(diǎn),便于學(xué)生了解和掌握本課題主要內(nèi)容,幫助學(xué)生解釋難點(diǎn)。
3.學(xué)習(xí)方法——是對(duì)學(xué)生學(xué)習(xí)提出的學(xué)習(xí)意見(jiàn)。
4.典型題解析——通過(guò)對(duì)本課題典型立體的分析、計(jì)算,給學(xué)生以結(jié)題的啟示,引導(dǎo)和擴(kuò)展解題的思路,培養(yǎng)和提高學(xué)生分析和解決問(wèn)題的能力。
5.自我檢測(cè)題——鞏固重點(diǎn)內(nèi)容,突破疑難問(wèn)題,加深對(duì)基本概念、基本電路的理解,有利于學(xué)生從中歸納總結(jié)分析和計(jì)算的思路、方法以及規(guī)律。
6.自我檢測(cè)題答案——給出答案,有利學(xué)生自學(xué)、自練和自查,提高對(duì)課程基本內(nèi)容的掌握程度。
1﹒使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?
2﹒維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷?
3﹒圖1中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值Id1﹑Id2﹑Id3與電流有效值I1﹑I2﹑I3.
4﹒上題中如果不考慮安全裕量,問(wèn)100A的晶閘管能送出的平均電流Id1﹑Id2﹑Id3各為多少?這時(shí),相應(yīng)的電流最大值Im1﹑Im2﹑Im3各為多少?
5﹒GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu),為什么GTO能夠自關(guān)斷,而普通晶閘管不能?
6﹒如何防止電力MOSFET因靜電感應(yīng)引起的損壞?
7﹒IGBT﹑GTR﹑GTO和電力MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路各有什么特點(diǎn)?
8﹒全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么?試分析RCD緩沖電路中各元件的作用。
9﹒試說(shuō)明IGBT﹑GTR﹑GTO和電力MOSFET各自的優(yōu)缺點(diǎn)
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