EEPROM和FLASH存儲(chǔ)器的測(cè)試方法詳細(xì)說(shuō)明

　　非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）在系統(tǒng)關(guān)閉或無(wú)電源供應(yīng)時(shí)仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)信息。一個(gè)非易失存儲(chǔ)器（NVM）器件通常也是一個(gè) MOS 管，擁有一個(gè)源極，一個(gè)漏極，一個(gè)門極另外還有一個(gè)浮柵（FLOATING GATE）。它的構(gòu)造和一般的 MOS 管略有不同：多了一個(gè)浮柵。浮柵被絕緣體隔絕于其他部分。非易失存儲(chǔ)器又可分為兩類：浮柵型和電荷阱型在浮柵型存儲(chǔ)器中，電荷被儲(chǔ)存在浮柵中，它們?cè)跓o(wú)電源供應(yīng)的情況下仍然可以保持。所有的浮柵型存儲(chǔ)器都有著類似的原始單元架構(gòu)。他們都有層疊的門極結(jié)構(gòu)如圖一所示。第一個(gè)門極被埋在門極氧化層和極間氧化層之間，極間氧化層的作用是隔絕浮柵區(qū)，它的組成可以是氧-氮-氧，或者二氧化硅。包圍在器件周圍的二氧化硅層可以保護(hù)器件免受外力影響。第二個(gè)門極被稱為控制門極，它和外部的電極相連接。浮柵型器件通常用于 EPROM（Electrically Programmable Read Only Memory）和 EEPROM（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）。

　　電荷阱型器件是在 1967 年被發(fā)明的，也是第一個(gè)被發(fā)明的電編程半導(dǎo)體器件。在這類型的存儲(chǔ)器中，電荷被儲(chǔ)存在分離的氮阱中，由此在無(wú)電源供應(yīng)時(shí)保持信息。電荷阱器件的典型應(yīng)用是在 MNOS（Metal Nitride Oxide Silicon），SNOS（Silicon Nitride Oxide Semiconductor）和 SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor）中。下圖展示了一個(gè)典型的 MNOS 電荷阱型存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)。

　　MNOS 中的電荷通過(guò)量子機(jī)制穿過(guò)一層極薄的氧化層（一般為 1.5-3nm）從溝道中被注入氮層中。