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摘要:為了提高數(shù)字通信電路的速度,設(shè)計了兩種BiCMOS開關(guān)電流存儲器。設(shè)計過程中在電路的關(guān)鍵部位配置有限的雙極型晶體管(BJT),但在電路的主體部分則設(shè)置MOS器件。推導(dǎo)出了存儲電路的傳輸延遲時間估算式,優(yōu)選了元器件參數(shù),并采取了提速措施。進(jìn)行了仿真試驗(yàn)和硬件電路實(shí)驗(yàn)。結(jié)果表明,所設(shè)計的兩種開關(guān)電流存儲器在低電源電壓(VDD)為2.6~4.0V時,綜合性能指標(biāo)——時延.功耗積DP比CMOS存儲電路AD585平均降低了約18.8pJ,特別適用于低壓高速數(shù)字通信系統(tǒng)。
關(guān)鍵詞:BiCMOS器件;開關(guān)電流存儲電路;低壓;高速度
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