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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>車規(guī)級(jí)IGBT市場規(guī)模現(xiàn)狀及發(fā)展?jié)摿Ψ治?/span>

      車規(guī)級(jí)IGBT市場規(guī)?，F(xiàn)狀及發(fā)展?jié)摿Ψ治?/h1>

      2023-02-23 | pdf | 0.69 MB | 次下載 | 2積分

      資料介紹

      IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，可以被認(rèn)為是由MOSFET和BJT（雙極性三極管）混合形成的器件，但比 MOSFET制作更困難和復(fù)雜，耐壓范圍更大。一般MOSFET器件或模塊的耐壓范圍為20-800V，而IGBT可以承受1000V以上的 高電壓，因此是電力電子領(lǐng)域的理想開關(guān)器件。 根據(jù)英飛凌的技術(shù)，IGBT的發(fā)展可劃分為三個(gè)階段。第一階段是第一代和第二代IGBT所代表的平面柵極型IGBT。由于功率器 件產(chǎn)品不追求制程，所以這類產(chǎn)品仍然暢銷，但第一代產(chǎn)品已經(jīng)基本被淘汰。第二階段是第三代和第四代IGBT所代表的溝槽 柵極型IGBT。這種類型的產(chǎn)品通過創(chuàng)新的溝槽設(shè)計(jì)大大減少了IGBT的體積和功耗，并得到了廣泛的應(yīng)用。在這個(gè)階段，出現(xiàn) 了第五代和第六代IGBT，這屬于溝槽格柵類型的改進(jìn)，結(jié)構(gòu)沒有太大變化。此外，第3階段過渡產(chǎn)品TrenchStop也出現(xiàn)在這個(gè) 階段。第三階段是2018年后出現(xiàn)的微凹槽IGBT，大大降低了器件的體積和功耗。
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