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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>碳化硅襯底和MEMS晶圓的研磨拋光技術(shù)

      碳化硅襯底和MEMS晶圓的研磨拋光技術(shù)

      2023-02-20 | pdf | 0.14 MB | 次下載 | 2積分

      資料介紹

      在半導(dǎo)體和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度變薄，以及拋光以使表面成為鏡面。在半導(dǎo)體器件的制造中，半導(dǎo)體制造 工藝包括:（1）從晶體生長開始切割和拋光硅等，并將其加工成晶片形狀的工藝（晶片制造工藝）；（2）在晶片上形成IC的 工藝（前一工藝）；以及（3）切割、組裝、檢查和安裝芯片的工藝（后一工藝）。在晶片制造過程中，通過雙面研磨、單面 研磨、蝕刻等對從晶錠切片的晶片進(jìn)行厚度調(diào)節(jié)，以消除加工表面的變形，然后將晶片加工成鏡面。此外，存在用于使在前一 工藝中制造的具有圖案的晶片的厚度均勻且薄的后研磨工藝。在背面研磨之后，在切割過程中進(jìn)行芯片化，并且在后處理中進(jìn) 行安裝。研磨工藝和切割工藝是前一工藝和后一工藝之間的中間工藝，是提高附加值的中間工藝，如晶片減薄，應(yīng)力消除，以 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）晶片制造為代表的深挖蝕刻，減薄和重新布線。
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