檢測(cè)電阻功耗

2512955 2022-11-18 | pdf | 95.93KB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

Maxim 的電池管理器件可選擇將檢測(cè)電阻集成到封裝中。雖然此功能可降低成本和電路板尺寸，但可能會(huì)擔(dān)心集成檢測(cè)電阻器產(chǎn)生的熱量會(huì)導(dǎo)致片上溫度檢測(cè)不準(zhǔn)確。相反，以下應(yīng)用說(shuō)明表明，產(chǎn)生的熱量不足以成為大多數(shù)應(yīng)用的關(guān)注點(diǎn)。對(duì)于那些可能受影響的應(yīng)用程序，提供了消除影響的軟件解決方案。Maxim 的電池管理器件可選擇將檢測(cè)電阻集成到封裝中。雖然此功能可降低成本和電路板尺寸，但可能會(huì)擔(dān)心集成檢測(cè)電阻器產(chǎn)生的熱量會(huì)導(dǎo)致片上溫度檢測(cè)不準(zhǔn)確。相反，以下應(yīng)用說(shuō)明表明，產(chǎn)生的熱量不足以成為大多數(shù)應(yīng)用的關(guān)注點(diǎn)。對(duì)于那些可能受影響的應(yīng)用程序，提供了消除影響的軟件解決方案。自熱自熱以下數(shù)據(jù)顯示了通過(guò)內(nèi)部檢測(cè)電阻器消耗的功率如何加熱管芯并影響片上溫度轉(zhuǎn)換的精度。Dallas Semiconductor 電池管理產(chǎn)品旨在允許最大持續(xù)檢測(cè)電阻器電流為 2 安培。因此，器件封裝在運(yùn)行期間可能消耗高達(dá) 2.0A2 × 30mΩ 或 120 毫瓦的功率。以下數(shù)據(jù)顯示了通過(guò)內(nèi)部檢測(cè)電阻器消耗的功率如何加熱管芯并影響片上溫度轉(zhuǎn)換的精度。Dallas Semiconductor 電池管理產(chǎn)品旨在允許最大持續(xù)檢測(cè)電阻器電流為 2 安培。因此，器件封裝在運(yùn)行期間可能消耗高達(dá) 2.0A2 × 30mΩ 或 120 毫瓦的功率。圖 1a：沒(méi)有耦合的檢測(cè)電阻自加熱。圖 1a：沒(méi)有耦合的檢測(cè)電阻自加熱。圖 1b：檢測(cè)電阻耦合到電池時(shí)自熱。圖 1b：檢測(cè)電阻耦合到電池時(shí)自熱。圖 1a圖 1a顯示了自熱對(duì)獨(dú)立封裝的影響，而顯示了自熱對(duì)獨(dú)立封裝的影響，而圖 1b圖 1b顯示了封裝與電池?zé)狁詈蠒r(shí)的改進(jìn)。為收集數(shù)據(jù)，將具有內(nèi)部檢測(cè)電阻的倒裝芯片 DS2760 與具有內(nèi)部檢測(cè)電阻的 TSSOP 封裝 DS2760 進(jìn)行了比較。作為參考，還包括一個(gè)帶有外部電阻器的 TSSOP DS2760。為了更準(zhǔn)確地模擬封閉式電池組，每個(gè)設(shè)備都被封閉在一個(gè)容器中，以防止空氣流過(guò)包裝。每個(gè)設(shè)備的環(huán)境溫度讀數(shù)在流過(guò)檢測(cè)電阻器的電流為零時(shí)記錄下來(lái)。然后電流以 0.25 安培的步長(zhǎng)增加到最大 2.0 安培。在每一步，設(shè)備的溫度都被允許穩(wěn)定下來(lái)，然后從溫度寄存器中獲取讀數(shù)的平均值。顯示了封裝與電池?zé)狁詈蠒r(shí)的改進(jìn)。為收集數(shù)據(jù)，將具有內(nèi)部檢測(cè)電阻的倒裝芯片 DS2760 與具有內(nèi)部檢測(cè)電阻的 TSSOP 封裝 DS2760 進(jìn)行了比較。作為參考，還包括一個(gè)帶有外部電阻器的 TSSOP DS2760。為了更準(zhǔn)確地模擬封閉式電池組，每個(gè)設(shè)備都被封閉在一個(gè)容器中，以防止空氣流過(guò)包裝。每個(gè)設(shè)備的環(huán)境溫度讀數(shù)在流過(guò)檢測(cè)電阻器的電流為零時(shí)記錄下來(lái)。然后電流以 0.25 安培的步長(zhǎng)增加到最大 2.0 安培。