資料介紹
由于它們較高的開(kāi)關(guān)速度和更加簡(jiǎn)便的驅(qū)動(dòng)特性,MOSFET已經(jīng)取代了很多應(yīng)用與功率級(jí)中的雙極性結(jié)型晶體管 (BJT)。然而,對(duì)于基于反激式的低功率AC/DC充電器等應(yīng)用,相對(duì)MOSFET,BJT具有某些明顯的優(yōu)勢(shì)。
由于它們不同的器件結(jié)構(gòu),高壓BJT的制造成本要低于高壓MOSFET。正因如此,額定電壓在1kV或者以上的BJT的價(jià)格要低于通用輸入離線反激式轉(zhuǎn)換器中常見(jiàn)的600V或650V MOSFET。
優(yōu)勢(shì)是顯而易見(jiàn)的。由于BJT具有較高的電壓額定值,泄露尖峰會(huì)高出幾百伏特,不過(guò)仍然處于所要求的開(kāi)關(guān)降額設(shè)計(jì)范圍內(nèi)。根據(jù)尖峰的幅度不同,常常有可能在不使開(kāi)關(guān)過(guò)壓的情況下完全移除緩沖器。
移除緩沖器
優(yōu)點(diǎn):
減少了物料清單 (BOM) 上的組件數(shù)量,從而實(shí)現(xiàn)一個(gè)更小、成本有效性更高的解決方案。更為重要的一點(diǎn)是,你可以移除緩沖器二極管,而這通常是一個(gè)600V的部件…
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