資料介紹
先上一個(gè)開關(guān) MOS 的 DS 波形
假設(shè)在一臺(tái)數(shù)字示波器上只看到這一點(diǎn)波型,知道變壓器電感量為 1mH, 通過從示波器上測(cè)量和計(jì)算,得出下列數(shù)值(只講解方法就行了) 大約的交流輸入電壓值次級(jí)反到初級(jí)的電壓占空比變壓器漏感變壓器和 MOS 的總雜散電容變壓器傳送的能量明顯反激,而且是斷續(xù)模式剛開始是漏感震蕩,后來(lái)是電感和 mosfet 的電容震蕩前一個(gè)直流電壓是 Vin+(Np/Ns)(Vo+VF(二極管導(dǎo)通壓降)) 后一個(gè)就是 Vin 后一個(gè)震蕩的周期可以算出 Cds 大小高壓時(shí) MOS 的 Cds 很小,振蕩的電容主體是變壓器雜散電容。根據(jù)反射電壓,反射電壓持續(xù)時(shí)間,輸入電壓就可以計(jì)算導(dǎo)通時(shí)間,占空比也就出來(lái)了(伏特秒平衡),Vref*Tvref=Vin*Ton 4,5 問如我上所說,只有一個(gè)大概的估算參考大家的理解,談?wù)勎业目捶ǎ寒?dāng) MOS 管電壓上升到 A 點(diǎn)時(shí),輸出整流管導(dǎo)通,初級(jí)勵(lì)磁電感箝位于 V1。此時(shí),漏感和雜散電容諧振,由于變壓器線圈存在直流和交流電阻,該振蕩位阻尼振蕩,消耗了漏感中的能量在 B 點(diǎn)時(shí),勵(lì)磁電感中電流下降為零,次級(jí)整流管自然截止,勵(lì)磁電感上電壓下降為零。勵(lì)磁電感和雜散電容諧振,MOS 管的雜散電容 Coss 向勵(lì)磁電感放電,Vds 電壓下降,可從波形中得到驗(yàn)證。
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