資料介紹
靜電放電(ESD)理論研究的已經(jīng)相當(dāng)成熟,為了模擬分析靜電事件,前人設(shè)計(jì)了很多靜電放電模型。常見的靜電模型有:人體模型(HBM),帶電器件模型,場(chǎng)感應(yīng)模型,場(chǎng)增強(qiáng)模型,機(jī)器模型和電容耦合模型等。芯片級(jí)一般用 HBM 做測(cè)試,而電子產(chǎn)品則用 IEC 6 1000-4-2 的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范,在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面,歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制標(biāo)準(zhǔn);電子產(chǎn)品必須符合這一標(biāo)準(zhǔn)之后方能銷往歐共體的各個(gè)成員國(guó)。因此,大多數(shù)生產(chǎn)廠家都把 IEC 61000-4-2 看作是 ESD 測(cè)試的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)。我國(guó)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T 17626.2-1998)等同于 I EC 6 1000-4-2。大多是實(shí)驗(yàn)室用的靜電發(fā)生器就是按 IEC 6 1000-4-2 的標(biāo)準(zhǔn),分為接觸放電和空氣放電。靜電發(fā)生器的模型如圖 1。放電頭按接觸放電和空氣放電分尖頭和圓頭兩種。
IEC 61000-4-2 的 靜電放電的波形如圖 2,可以看到靜電放電主要電流是一個(gè)上升沿在 1nS 左右的一個(gè)上升沿,要消除這個(gè)上升沿要求 ESD 保護(hù)器件響應(yīng)時(shí)間要小于這個(gè)時(shí)間。靜電放電的能量主要集中在幾十 MHz 到 500MHz,很多時(shí)候我們能從頻譜上考慮,如濾波器濾除相應(yīng)頻帶的能量來(lái)實(shí)現(xiàn)靜電防護(hù)。其放電頻譜如下,這個(gè)圖是我自己畫的,只能定性的看,不能定量。
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