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今天我們來談一談 MOSFET 電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定 RDS（ON） 和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的，而是被計算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。例如，大多數(shù)部件中都有 FET“封裝電流額定值”，這個值同與周圍環(huán)境無關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個函數(shù)。超過這個值不會立即對 FET 造成損壞，而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機(jī)制包括但不限于線路融合、成型復(fù)合材料的熱降解、以及電遷移應(yīng)力所導(dǎo)致的問題。然后是我們考慮的“芯片限值”，通常通過將外殼溫度保持在 25?C 來指定?；旧?，這個條件假定了一個理想的散熱片，只使用結(jié)至外殼熱阻來計算器件能夠處理的最大功率（在下面的方程式 1 和 2 中顯示）。換句話說，假定 RθCase-to-Ambient 為零，這在應(yīng)用中并不是一個很實(shí)用的條件，這樣的話，最好將這個電流額定值視為表示器件 RDS（ON） 和熱阻抗的品質(zhì)因數(shù)。
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