如何使用TDR實(shí)現(xiàn)S參數(shù)的測(cè)量

　　在頻域、時(shí)域、阻抗域三種電學(xué)基本特性測(cè)試測(cè)量儀器中，以阻抗域測(cè)試測(cè)量?jī)x器所用電路結(jié)構(gòu)最復(fù)雜、測(cè)試操作最費(fèi)時(shí)間、成套價(jià)格最高。目前能夠供應(yīng)GHz級(jí)阻抗域測(cè)試測(cè)量?jī)x器的公司亦為數(shù)不多，特別是矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）只有是德科技、羅德與施瓦茨、安立等幾家公司生產(chǎn)。VNA的最高帶寬達(dá)到65GHz，前端使用變頻器可將帶寬擴(kuò)大至120GHz，成套售價(jià)在二十萬(wàn)美元以上。我們知道，任何電子元器件都可用二端或四端網(wǎng)絡(luò)來(lái)表征，所用參數(shù)有Z（阻抗）、Y（電導(dǎo)）、H（混合）和S（散射），由于Z、Y、H 參數(shù)的測(cè)量都涉及開路、短路條件，這些條件在GHz頻段不易實(shí)現(xiàn)，因此VNA測(cè)量的是阻抗匹配條件下的S參數(shù)。在十年前一些測(cè)試測(cè)量專家試圖從時(shí)域—頻域特性測(cè)量入手，通過快速傅立葉函數(shù)變換將幅度—時(shí)間特性變成分立的幅度—頻率特性，在此基礎(chǔ)上推導(dǎo)出S參數(shù)。整個(gè)測(cè)試過程和測(cè)量條件與直接測(cè)量S參數(shù)相同，只是激勵(lì)源從掃頻發(fā)生器改為階躍脈沖發(fā)生器，從時(shí)域反射（TDR）和時(shí)域傳輸（TRT）參數(shù)導(dǎo)出S參數(shù)。最簡(jiǎn)單的一個(gè)物理同軸線連接點(diǎn)的二端口S散射矩陣見表達(dá)式（1），它是由輸入端口和輸出端口的入射波和反射波來(lái)定義的四個(gè) Sij參數(shù)。每個(gè)端口的電壓V和電流I分別由入射波V+、I+和反射波V-、I-組成，即V=V++V-和I=I++I-。從表達(dá)式（1）和圖1a可知，S11是輸入端口電壓反射系數(shù)，S12是反向電壓增益，S21是正向電壓增益，S22是輸出端口電壓反射系數(shù)。全部S參數(shù)都是在同軸線的輸入和輸出阻抗匹配的條件下獲得的。